Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 32 нм
При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 32 нм
вопросПравильный ответ:
7,8*105 транзисторов/мм2
7,6*105 транзисторов/мм2
7,5*105 транзисторов/мм2
7,4*105 транзисторов/мм2
7,9*105 транзисторов/мм2
Сложность вопроса
81
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я сотрудник университета! Срочно сотрите этот ваш сайт с ответами с интуит. Пожалуйста
02 янв 2018
Аноним
Зачёт всё. Бегу выпивать отмечать халяву с тестами интуит
08 июл 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Какие размеры имеет изображение вирусов в растровом электронном микроскопе, если их натуральный размер составляет 80 нм, а увеличение равно 50000х? Ответ введите в мм.
- # Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? [Большая Картинка]
- # Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 512 Мбит при = 5? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему инвертора