Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ([формула]), толщины и удельного электрического сопротивлени
Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (![math]()
и ![math]()
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (![math]()
и ![math]()
) и длины межсоединения (![math]()
). ![math]()
= 3,9; ![math]()
= 100 нм; ![math]()
= 120 нм; ![math]()
= 2,66 мкОм*см; ![math]()
= 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопрос
и 
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и 
) и длины межсоединения (
). Правильный ответ:
1,22
Сложность вопроса
91
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Гранд мерси за подсказками по intuit.
09 апр 2017
Аноним
Экзамен сдал на 4 с минусом. Ура
18 дек 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана структура магнитной головки в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 1 и 5? [Большая Картинка]
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
![math]()
, ![math]()
и ![math]()
) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. ![math]()
.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 1 Мбит? (ответ укажите в тысячах).
-
#
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы
![math]()
при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. ![math]()
- # Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 45 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
, 
и 
) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. 
. 
при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. 