Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм². Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 1 Гбит?

Правильный ответ:

• # Вычислите длину волны де Бройля для электронов с энергией 10 кэВ. Ответ (в пм) введите в виде целого числа.
• # Рассчитайте период расположения магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке = 390 нм и плотность записи информации на магнитный диск = 2,3*109 бит/дюйм2.
• # Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов = 18, а соотношение = 12. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна
• # Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданном напряжении между истоком и стоком (). .