Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 64 Мбита при = 7? (ответ укажите в тысячах).

Правильный ответ:

• # В оптическом микроскопе ближнего поля в режиме просачивания получили изображение стоячей плазмонной волны. Вычислите длину волны плазмонов (в нм), если расстояние между пучностями волны на изображении составляет 4 мм, увеличение 80000х.
• # Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации и соответствующий ему магнитный спин-ток равен .
• # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
• # Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 32 нм
• # Рассчитайте величину электрического тока (пА), который протекает сквозь наноэлектромеханический транзистор, изображенный на рисунке, если известна частота его колебаний : = 650 МГц [Большая Картинка]