Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических
Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 32 нм
вопросПравильный ответ:
980 тыс. лог. элементов/мм2
970 тыс. лог. элементов/мм2
960 тыс. лог. элементов/мм2
920 тыс. лог. элементов/мм2
910 тыс. лог. элементов/мм2
930 тыс. лог. элементов/мм2
Сложность вопроса
22
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Какой студент ищет данные тесты по интуит? Это же безумно легко
29 ноя 2020
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 5? [Большая Картинка]
- # Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? [Большая Картинка]
- # Какая скорость преобразования аналоговых сигналов в цифровые коды с использованием АЦП конвейерного типа нужна: для "оцифровки" в реальном времени радиосигналов с несущей частотой 46 МГц? (ответ укажите в миллионах)
- # Используя результаты предыдущего упражнения, оцените порог чувствительности сенсора на кантилевере, считая, что можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц, а частота изменяется по закону , где – масса чувствительной зоны кантилевера, – масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 25 мкм; ширина 3 мкм; толщина 600 нм
- # Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 22 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.