Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 128 Мбит при = 6?

Правильный ответ:

• # Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния на 0,1 нм при условии, что работа выхода электронов из острия зонда составляет 0,5 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # В оптическом микроскопе ближнего поля в режиме просачивания получили изображение стоячей плазмонной волны. Вычислите длину волны плазмонов (в нм), если расстояние между пучностями волны на изображении составляет 2,5 мм, увеличение 25000х.
• # Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек , длина каждого бита на дорожке и расстояние между дорожками . = 90 нм, = 100 нм, = 254 нм.
• # Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на ( = 248) и иммерсионной жидкости с показателем преломления 1,4
• # Используя результаты предыдущего упражнения, оцените порог чувствительности сенсора на кантилевере, считая, что можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц, а частота изменяется по закону , где – масса чувствительной зоны кантилевера, – масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 25 мкм; ширина 3 мкм; толщина 600 нм