Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Используя результаты предыдущего упражнения, оцените порог чувствительности сенсора на кантилевере, считая, что можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц, а частота изменяется по закону [формула], где [формула] – масса чувствительной зоны канти
Используя результаты предыдущего упражнения, оцените порог чувствительности сенсора на кантилевере, считая, что можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц, а частота изменяется по закону , где – масса чувствительной зоны кантилевера, – масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 25 мкм; ширина 3 мкм; толщина 600 нм
вопросПравильный ответ:
Сложность вопроса
51
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт всё. Бегу пить отмечать экзамен интуит
18 сен 2020
Аноним
Это очень не сложный вопрос интуит.
11 июл 2020
Аноним
спасибо за ответ
29 июл 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Во сколько раз составляющая электрического тока в ферромагнетике, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, если степень поляризации этого тока ?
- # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время .
- # Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,56, а угол = 1,5. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 200 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной = 1,3, диэлектрическая постоянная среды = 2,5. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 512 Мбит? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.