Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Во сколько раз возрастет частота собственных колебаний упругой микроэлектромеханической перекладины, если: ее толщину и длину уменьшить в 1,5 раза? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Во сколько раз возрастет частота собственных колебаний упругой микроэлектромеханической перекладины, если: ее толщину и длину уменьшить в 1,5 раза? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
1,5
Сложность вопроса
85
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Какой студент ищет эти ответы интуит? Это же элементарно
23 окт 2017
Аноним
Гранд мерси за гдз по intuit.
11 сен 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах , если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение , а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что , , ? Указано значение уставки .
- # Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 100 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной = 1,3, диэлектрическая постоянная среды = 3,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания , среднего количества транзисторов на этой площади, тактовой частоты , суммарной электрической емкости , на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте : .
- # Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 512 Мбит? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 64 Мбит при = 8? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.