Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий [формула] в смешанных кристаллах [формула] от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: [формула]. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий в смешанных кристаллах от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
1,858
Сложность вопроса
27
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я завалил сессию, почему я не нашёл данный сайт с ответами по интуит до того как забрали в армию
11 авг 2020
Аноним
Зачёт сдан. Бегу в бар отмечать халяву с тестами интуит
18 мар 2020
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Вычислите длину волны де Бройля для электронов с энергией 100 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна .
- # Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданных напряжениях на затворе () и между истоком и стоком (). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? .
- # Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданном напряжении между истоком и стоком (). .
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 16 кбит? (ответ укажите в тысячах).