Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 64 нм. Ответ в
Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 64 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
11,2
Сложность вопроса
50
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это было сложно
16 ноя 2018
Аноним
Я сотрудник деканата! Тотчас удалите ответы интуит. Умоляю
27 окт 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 до 100 . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданном напряжении между истоком и стоком (). . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? [Большая Картинка]
- # Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( и ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( и ) и длины межсоединения (). = 3,1; = 90 нм; = 100 нм; = 1,68 мкОм*см; = 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).