Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 64 нм. Ответ в
Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 64 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
11,2
Сложность вопроса
50
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это было сложно
16 ноя 2018
Аноним
Я сотрудник деканата! Тотчас удалите ответы интуит. Умоляю
27 окт 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/
, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/
. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20
до 100
. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) и заданном напряжении между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? [Большая Картинка]
-
#
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).
= 3,1;
= 90 нм;
= 100 нм;
= 1,68 мкОм*см;
= 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).
, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/
,
и
) и заданном напряжении между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).