Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: [формула] с шириной запрещенной зоны 4,83 эВ?
Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника:
с шириной запрещенной зоны 4,83 эВ?
вопрос
Правильный ответ:
257
Сложность вопроса
75
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт всё. Лечу выпивать отмечать экзамен intuit
24 ноя 2019
Аноним
Благодарю за гдз по intuit.
05 фев 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 2? [Большая Картинка]
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным.
.
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.
-
#
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
:
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Во сколько раз уменьшится частота собственных колебаний упругой микроэлектромеханической перекладины, если: ее толщину уменьшить в 2,2 раза, а длину в 1,2 раза? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
с шириной запрещенной зоны 4,83 эВ?
,
и
) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным.
.
.
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.