Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 45 нм

Правильный ответ:

• # Рассчитайте, при каком потенциале на контролирующем электроде разность между наиболее низкими разрешенными энергетическими уровнями зарядового кубита будет наименьшей, если: электрическая емкость между сверхпроводящим островком и контролирующим электродом составляет 9,6*10-18 Ф? (ответ укажите в мВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Постройте график зависимости разрешенных уровней энергии зарядового кубита от потенциала на контролирующем электроде в координатах при условии, что
• # Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома аргона меньше диаметра его внешней электронной оболочки?
• # Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на [Большая Картинка], оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме, показанной на [Большая Картинка], а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:
• # Рассчитайте время выполнения квантовой логической операции отрицания над электронным спиновым кубитом, если: индукция постоянного магнитного поля составляет 3,0 Тл, частота ЭСР 68,3 ГГц, амплитуда резонансного поперечного магнитного поля 28 мТл (ответ введите в пс).