Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления - ответы на тесты Интуит

• # Оцените собственное время переключения криотрона, у которого материал управляемой шины имеет в не сверхпроводящем состоянии удельное сопротивление , толщина изоляционного слоя между шинами и толщина управляющей шины .
• # Оцените собственное время переключения криотрона, у которого материал управляемой шины имеет в не сверхпроводящем состоянии удельное сопротивление , толщина изоляционного слоя между шинами и толщина управляющей шины .
• # Оцените собственное время переключения криотрона, у которого материал управляемой шины имеет в не сверхпроводящем состоянии удельное сопротивление , толщина изоляционного слоя между шинами и толщина управляющей шины .
• # Оцените собственное время переключения криотрона, у которого материал управляемой шины имеет в не сверхпроводящем состоянии удельное сопротивление , толщина изоляционного слоя между шинами и толщина управляющей шины .
• # Оцените собственное время переключения криотрона, у которого материал управляемой шины имеет в не сверхпроводящем состоянии удельное сопротивление , толщина изоляционного слоя между шинами и толщина управляющей шины .
• # На рисунке показана логическая схема на криотронах. Какую логическую функцию выполняет соответствующая схема? [Большая Картинка]
• # На рисунке показана логическая схема на криотронах. Какую логическую функцию выполняет соответствующая схема? [Большая Картинка]
• # На рисунке показана логическая схема на криотронах. Какую логическую функцию выполняет соответствующая схема? [Большая Картинка]
• # На рисунке показана логическая схема на криотронах. Какую логическую функцию выполняет соответствующая схема? [Большая Картинка]
• # На рисунке показана логическая схема на криотронах. Какую логическую функцию выполняет соответствующая схема? [Большая Картинка]
• # Рассчитайте напряжение, приложенное к переходу Джозефсона (ПД), и величину постоянного (не сверхпроводящего) электрического тока, протекающего через ПД, если известна частота джозефсоновской генерации на переходе и электрическое сопротивление ПД для не сверхпроводящего тока.Учтите, что частота связана с круговой частотой в формуле (13.8) соотношением .
• # Рассчитайте напряжение, приложенное к переходу Джозефсона (ПД), и величину постоянного (не сверхпроводящего) электрического тока, протекающего через ПД, если известна частота джозефсоновской генерации на переходе и электрическое сопротивление ПД для не сверхпроводящего тока.Учтите, что частота связана с круговой частотой в формуле (13.8) соотношением .
• # Рассчитайте напряжение, приложенное к переходу Джозефсона (ПД), и величину постоянного (не сверхпроводящего) электрического тока, протекающего через ПД, если известна частота джозефсоновской генерации на переходе и электрическое сопротивление ПД для не сверхпроводящего тока.Учтите, что частота связана с круговой частотой в формуле (13.8) соотношением .
• # Рассчитайте напряжение, приложенное к переходу Джозефсона (ПД), и величину постоянного (не сверхпроводящего) электрического тока, протекающего через ПД, если известна частота джозефсоновской генерации на переходе и электрическое сопротивление ПД для не сверхпроводящего тока.Учтите, что частота связана с круговой частотой в формуле (13.8) соотношением .
• # Рассчитайте напряжение, приложенное к переходу Джозефсона (ПД), и величину постоянного (не сверхпроводящего) электрического тока, протекающего через ПД, если известна частота джозефсоновской генерации на переходе и электрическое сопротивление ПД для не сверхпроводящего тока.Учтите, что частота связана с круговой частотой в формуле (13.8) соотношением .
• # Магнитный поток сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) изменился на малую величину . Рассчитайте, как изменится разность фаз волновой функции куперовских пар электронов на ПД.При изменении магнитного потока сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) на величину фаза волновой функции изменяется на . Поэтому при изменении магнитного потока на малую величину разность фаз изменяется на .
• # Магнитный поток сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) изменился на малую величину . Рассчитайте, как изменится разность фаз волновой функции куперовских пар электронов на ПД.При изменении магнитного потока сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) на величину фаза волновой функции изменяется на . Поэтому при изменении магнитного потока на малую величину разность фаз изменяется на .
• # Магнитный поток сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) изменился на малую величину . Рассчитайте, как изменится разность фаз волновой функции куперовских пар электронов на ПД.При изменении магнитного потока сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) на величину фаза волновой функции изменяется на . Поэтому при изменении магнитного потока на малую величину разность фаз изменяется на .
• # Магнитный поток сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) изменился на малую величину . Рассчитайте, как изменится разность фаз волновой функции куперовских пар электронов на ПД.При изменении магнитного потока сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) на величину фаза волновой функции изменяется на . Поэтому при изменении магнитного потока на малую величину разность фаз изменяется на .
• # Магнитный поток сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) изменился на малую величину . Рассчитайте, как изменится разность фаз волновой функции куперовских пар электронов на ПД.При изменении магнитного потока сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) на величину фаза волновой функции изменяется на . Поэтому при изменении магнитного потока на малую величину разность фаз изменяется на .
• # На рисунке показана функциональная схема магнитометра постоянного тока на сквиде с двумя переходами Джозефсона. Расшифруйте сокращенное обозначение УОС и коротко объясните его функциональное назначение. [Большая Картинка]
• # На рисунке показана функциональная схема магнитометра постоянного тока на сквиде с двумя переходами Джозефсона. Расшифруйте сокращенное обозначение ГТС и коротко объясните его функциональное назначение. [Большая Картинка]
• # На рисунке показана функциональная схема магнитометра постоянного тока на сквиде с двумя переходами Джозефсона. Расшифруйте сокращенное обозначение КОС и коротко объясните его функциональное назначение. [Большая Картинка]
• # На рисунке показана функциональная схема магнитометра постоянного тока на сквиде с двумя переходами Джозефсона. Расшифруйте сокращенное обозначение ВР и коротко объясните его функциональное назначение. [Большая Картинка]
• # На рисунке показана функциональная схема магнитометра постоянного тока на сквиде с двумя переходами Джозефсона. Расшифруйте сокращенное обозначение ТМП и коротко объясните его функциональное назначение. [Большая Картинка]
• # Сигнальная кривая сквида с двумя переходами Джозефсона описывается формулой . Какой дополнительный магнитный поток следует подать в контур сквида через катушку обратной связи, чтобы рабочая точка магнитометра, построенного на этом сквиде, находилась на самом крутом участке сигнальной кривой?При .Дополнительный магнитный поток должен быть таким, чтобы аргумент , откуда , где целое число k следует выбрать так, чтобы . Значение надо подставлять в радианах, а при подстановке в градусах делить его не на , а на .
• # Сигнальная кривая сквида с двумя переходами Джозефсона описывается формулой . Какой дополнительный магнитный поток следует подать в контур сквида через катушку обратной связи, чтобы рабочая точка магнитометра, построенного на этом сквиде, находилась на самом крутом участке сигнальной кривой?При .Дополнительный магнитный поток должен быть таким, чтобы аргумент , откуда , где целое число k следует выбрать так, чтобы . Значение надо подставлять в радианах, а при подстановке в градусах делить его не на , а на .
• # Сигнальная кривая сквида с двумя переходами Джозефсона описывается формулой . Какой дополнительный магнитный поток следует подать в контур сквида через катушку обратной связи, чтобы рабочая точка магнитометра, построенного на этом сквиде, находилась на самом крутом участке сигнальной кривой?При .Дополнительный магнитный поток должен быть таким, чтобы аргумент , откуда , где целое число k следует выбрать так, чтобы . Значение надо подставлять в радианах, а при подстановке в градусах делить его не на , а на .
• # Сигнальная кривая сквида с двумя переходами Джозефсона описывается формулой . Какой дополнительный магнитный поток следует подать в контур сквида через катушку обратной связи, чтобы рабочая точка магнитометра, построенного на этом сквиде, находилась на самом крутом участке сигнальной кривой?При .Дополнительный магнитный поток должен быть таким, чтобы аргумент , откуда , где целое число k следует выбрать так, чтобы . Значение надо подставлять в радианах, а при подстановке в градусах делить его не на , а на .
• # Сигнальная кривая сквида с двумя переходами Джозефсона описывается формулой . Какой дополнительный магнитный поток следует подать в контур сквида через катушку обратной связи, чтобы рабочая точка магнитометра, построенного на этом сквиде, находилась на самом крутом участке сигнальной кривой?При .Дополнительный магнитный поток должен быть таким, чтобы аргумент , откуда , где целое число k следует выбрать так, чтобы . Значение надо подставлять в радианах, а при подстановке в градусах делить его не на , а на .
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет 10-12 Тл. Какой минимальный градиент индукции магнитного поля можно зарегистрировать с помощью градиометра 1-го порядка, построенного на таком магнитометре, если расстояние между плоскостями его выносных рамок составляет 2.5 мм.
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет 10-12 Тл. Какой минимальный градиент индукции магнитного поля можно зарегистрировать с помощью градиометра 1-го порядка, построенного на таком магнитометре, если расстояние между плоскостями его выносных рамок составляет 1.2 мм.
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет 10-12 Тл. Какой минимальный градиент индукции магнитного поля можно зарегистрировать с помощью градиометра 1-го порядка, построенного на таком магнитометре, если расстояние между плоскостями его выносных рамок составляет 0.3 мм.
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет 10-12 Тл. Какой минимальный градиент индукции магнитного поля можно зарегистрировать с помощью градиометра 1-го порядка, построенного на таком магнитометре, если расстояние между плоскостями его выносных рамок составляет 25 мкм.
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет 10-12 Тл. Какой минимальный градиент индукции магнитного поля можно зарегистрировать с помощью градиометра 1-го порядка, построенного на таком магнитометре, если расстояние между плоскостями его выносных рамок составляет 200 нм.
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет . Рассчитайте минимальное изменение индукции магнитного поля, которое можно зарегистрировать с помощью такого магнитометра, если внутреннее отверстие его сквида представляет собой прямоугольник размерами: . Используйте формулу связи между величиной магнитной индукции, площадью контура и магнитным потоком сквозь него: .
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет . Рассчитайте минимальное изменение индукции магнитного поля, которое можно зарегистрировать с помощью такого магнитометра, если внутреннее отверстие его сквида представляет собой прямоугольник размерами: . Используйте формулу связи между величиной магнитной индукции, площадью контура и магнитным потоком сквозь него: .
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет . Рассчитайте минимальное изменение индукции магнитного поля, которое можно зарегистрировать с помощью такого магнитометра, если внутреннее отверстие его сквида представляет собой прямоугольник размерами: . Используйте формулу связи между величиной магнитной индукции, площадью контура и магнитным потоком сквозь него: .
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет . Рассчитайте минимальное изменение индукции магнитного поля, которое можно зарегистрировать с помощью такого магнитометра, если внутреннее отверстие его сквида представляет собой прямоугольник размерами: . Используйте формулу связи между величиной магнитной индукции, площадью контура и магнитным потоком сквозь него: .
• # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет . Рассчитайте минимальное изменение индукции магнитного поля, которое можно зарегистрировать с помощью такого магнитометра, если внутреннее отверстие его сквида представляет собой прямоугольник размерами: . Используйте формулу связи между величиной магнитной индукции, площадью контура и магнитным потоком сквозь него: .
• # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 500 х 100 нм (ответ укажите в мкэВ)
• # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 300 х 75 нм (ответ укажите в мкэВ)
• # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 250 х 50 нм (ответ укажите в мкэВ)
• # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 150 х 32 нм (ответ укажите в мэВ). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Рассчитайте, при каком потенциале на контролирующем электроде разность между наиболее низкими разрешенными энергетическими уровнями зарядового кубита будет наименьшей, если: электрическая емкость между сверхпроводящим островком и контролирующим электродом составляет 6,5*10-17 Ф? (ответ укажите в мВ). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Рассчитайте, при каком потенциале на контролирующем электроде разность между наиболее низкими разрешенными энергетическими уровнями зарядового кубита будет наименьшей, если: электрическая емкость между сверхпроводящим островком и контролирующим электродом составляет 3,2*10-17 Ф? (ответ укажите в мВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте, при каком потенциале на контролирующем электроде разность между наиболее низкими разрешенными энергетическими уровнями зарядового кубита будет наименьшей, если: электрическая емкость между сверхпроводящим островком и контролирующим электродом составляет 9,6*10-18 Ф? (ответ укажите в мВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте, при каком потенциале на контролирующем электроде разность между наиболее низкими разрешенными энергетическими уровнями зарядового кубита будет наименьшей, если: электрическая емкость между сверхпроводящим островком и контролирующим электродом составляет 6,5*10-18 Ф? (ответ укажите в мВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте, при каком потенциале на контролирующем электроде разность между наиболее низкими разрешенными энергетическими уровнями зарядового кубита будет наименьшей, если: электрическая емкость между сверхпроводящим островком и контролирующим электродом составляет 3,5*10-18 Ф? (ответ укажите в мВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Постройте график зависимости разрешенных уровней энергии зарядового кубита от потенциала на контролирующем электроде в координатах при условии, что
• # Постройте график зависимости разрешенных уровней энергии зарядового кубита от потенциала на контролирующем электроде в координатах при условии, что
• # Постройте график зависимости разрешенных уровней энергии зарядового кубита от потенциала на контролирующем электроде в координатах при условии, что
• # Постройте график зависимости разрешенных уровней энергии зарядового кубита от потенциала на контролирующем электроде в координатах при условии, что
• # Постройте график зависимости разрешенных уровней энергии зарядового кубита от потенциала на контролирующем электроде в координатах при условии, что
• # Обозначим некоторые признаки сверхпроводящих кубитов на переходах Джозефсона (ПД) следующим образом. Число ПД в кубите: (А) 1; (Б) 2; (В) 3; (Г) 2 + один со структурой SFS. Соотношение джозефсоновской и зарядовой энергии: (а) ; (б) ; (в) ; (г) для одного и – для других ПД. Какие из этих признаков характерны для сверхпроводящих кубитов: зарядовых? Укажите соответствующие обозначения (А, Б, В, Г и а, б, в, г), например (Б + а).
• # Обозначим некоторые признаки сверхпроводящих кубитов на переходах Джозефсона (ПД) следующим образом. Число ПД в кубите: (А) 1; (Б) 2; (В) 3; (Г) 2 + один со структурой SFS. Соотношение джозефсоновской и зарядовой энергии: (а) ; (б) ; (в) ; (г) для одного и – для других ПД. Какие из этих признаков характерны для сверхпроводящих кубитов:зарядово-фазовых? Укажите соответствующие обозначения (А, Б, В, Г и а, б, в, г), например (Б + а).
• # Обозначим некоторые признаки сверхпроводящих кубитов на переходах Джозефсона (ПД) следующим образом. Число ПД в кубите: (А) 1; (Б) 2; (В) 3; (Г) 2 + один со структурой SFS. Соотношение джозефсоновской и зарядовой энергии: (а) ; (б) ; (в) ; (г) для одного и – для других ПД. Какие из этих признаков характерны для сверхпроводящих кубитов: потоковых? Укажите соответствующие обозначения (А, Б, В, Г и а, б, в, г), например (Б + а).
• # Обозначим некоторые признаки сверхпроводящих кубитов на переходах Джозефсона (ПД) следующим образом. Число ПД в кубите: (А) 1; (Б) 2; (В) 3; (Г) 2 + один со структурой SFS. Соотношение джозефсоновской и зарядовой энергии: (а) ; (б) ; (в) ; (г) для одного и – для других ПД. Какие из этих признаков характерны для сверхпроводящих кубитов: пи-кубитов? Укажите соответствующие обозначения (А, Б, В, Г и а, б, в, г), например (Б + а).
• # Обозначим некоторые признаки сверхпроводящих кубитов на переходах Джозефсона (ПД) следующим образом. Число ПД в кубите: (А) 1; (Б) 2; (В) 3; (Г) 2 + один со структурой SFS. Соотношение джозефсоновской и зарядовой энергии: (а) ; (б) ; (в) ; (г) для одного и – для других ПД. Какие из этих признаков характерны для сверхпроводящих кубитов: фазовых? Укажите соответствующие обозначения (А, Б, В, Г и а, б, в, г), например (Б + а).
• # Рассчитайте резонансную частоту СВЧ импульса, требуемого для выполнения квантовых логических операций над сверхпроводящим кубитом, если разность энергий для базовых квантовых состояний кубита составляет: 45 мкэВ. (ответ введите в ГГц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте резонансную частоту СВЧ импульса, требуемого для выполнения квантовых логических операций над сверхпроводящим кубитом, если разность энергий для базовых квантовых состояний кубита составляет: 80 мкэВ. (ответ введите в ГГц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте резонансную частоту СВЧ импульса, требуемого для выполнения квантовых логических операций над сверхпроводящим кубитом, если разность энергий для базовых квантовых состояний кубита составляет: 145 мкэВ. (ответ введите в ГГц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте резонансную частоту СВЧ импульса, требуемого для выполнения квантовых логических операций над сверхпроводящим кубитом, если разность энергий для базовых квантовых состояний кубита составляет: 270 мкэВ. (ответ введите в ГГц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте резонансную частоту СВЧ импульса, требуемого для выполнения квантовых логических операций над сверхпроводящим кубитом, если разность энергий для базовых квантовых состояний кубита составляет: 540 мкэВ. (ответ введите в ГГц)
• # Оцените протяжность пучности стоячей электромагнитной волны в микроволновом резонаторе, если резонансная частота составляет: 9,6 ГГц (ответ введите в мм). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Оцените протяжность пучности стоячей электромагнитной волны в микроволновом резонаторе, если резонансная частота составляет: 32 ГГц (ответ введите в мм). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Оцените протяжность пучности стоячей электромагнитной волны в микроволновом резонаторе, если резонансная частота составляет: 65 ГГц (ответ введите в мм). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Оцените протяжность пучности стоячей электромагнитной волны в микроволновом резонаторе, если резонансная частота составляет: 96 ГГц (ответ введите в мм). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Оцените протяжность пучности стоячей электромагнитной волны в микроволновом резонаторе, если резонансная частота составляет: 125 ГГц (ответ введите в мм). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Оцените, какой должна быть площадь сечения вертикального джозефсоновского интерферометра, чтобы магнитный поток сквозь его вертикальное отверстие достигал половины кванта магнитного потока при заданной величине горизонтальной магнитной индукции . Какими должны быть высота и ширина отверстия при их соотношении 1:12? = 0,2 Тл?
• # Оцените, какой должна быть площадь сечения вертикального джозефсоновского интерферометра, чтобы магнитный поток сквозь его вертикальное отверстие достигал половины кванта магнитного потока при заданной величине горизонтальной магнитной индукции . Какими должны быть высота и ширина отверстия при их соотношении 1:12? = 0,7 Тл?
• # Оцените, какой должна быть площадь сечения вертикального джозефсоновского интерферометра, чтобы магнитный поток сквозь его вертикальное отверстие достигал половины кванта магнитного потока при заданной величине горизонтальной магнитной индукции . Какими должны быть высота и ширина отверстия при их соотношении 1:12? = 1,2 Тл?
• # Оцените, какой должна быть площадь сечения вертикального джозефсоновского интерферометра, чтобы магнитный поток сквозь его вертикальное отверстие достигал половины кванта магнитного потока при заданной величине горизонтальной магнитной индукции . Какими должны быть высота и ширина отверстия при их соотношении 1:12? = 1,7 Тл?
• # Оцените, какой должна быть площадь сечения вертикального джозефсоновского интерферометра, чтобы магнитный поток сквозь его вертикальное отверстие достигал половины кванта магнитного потока при заданной величине горизонтальной магнитной индукции . Какими должны быть высота и ширина отверстия при их соотношении 1:12? = 2,2 Тл?
• # Оцените (в долях электрон-вольта) среднюю энергию теплового движения частиц при сверхнизких температурах: при 0,2 К (ответ введите в мкэВ)
• # Оцените (в долях электрон-вольта) среднюю энергию теплового движения частиц при сверхнизких температурах: при 0,02 К = 20 мК (ответ введите в мкэВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Оцените (в долях электрон-вольта) среднюю энергию теплового движения частиц при сверхнизких температурах: при 0,002 К = 2 мК (ответ введите в нэВ)
• # Оцените (в долях электрон-вольта) среднюю энергию теплового движения частиц при сверхнизких температурах: при 0,0002 К = 200 мкК (ответ введите в нэВ)
• # Оцените (в долях электрон-вольта) среднюю энергию теплового движения частиц при сверхнизких температурах: при 0,00002 К = 20 мкК (ответ введите в нэВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Считая одноквантовый импульс напряжения прямоугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 3 пс. (ответ введите в мкВ)
• # Считая одноквантовый импульс напряжения прямоугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 2 пс. (ответ введите в мВ с точностью до второго знака после запятой)
• # Считая одноквантовый импульс напряжения прямоугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 1 пс. (ответ введите в мВ с точностью до второго знака после запятой)
• # Считая одноквантовый импульс напряжения прямоугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 0,5 пс. (ответ введите в мВ с точностью до второго знака после запятой)
• # Считая одноквантовый импульс напряжения прямоугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 0,2 пс. (ответ введите в мВ с точностью до первого знака после запятой)
• # Считая одноквантовый импульс напряжения треугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 3 пс. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Считая одноквантовый импульс напряжения треугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 2 пс. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Считая одноквантовый импульс напряжения треугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 1 пс. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Считая одноквантовый импульс напряжения треугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 0,5 пс. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Считая одноквантовый импульс напряжения треугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 0,2 пс. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Запишите, в какие состояния последовательно переходит сквид R-S БОК триггера и какие сигналы появляются на его выходе при заданном исходном состоянии и разных заданных последовательностях входных сигналов. Исходное состояние "0", последовательность входных сигналов – R, S, R, S, S, R.
• # Запишите, в какие состояния последовательно переходит сквид R-S БОК триггера и какие сигналы появляются на его выходе при заданном исходном состоянии и разных заданных последовательностях входных сигналов. Исходное состояние "1", последовательность входных сигналов – R, S, R, S, S, R.
• # Запишите, в какие состояния последовательно переходит сквид R-S БОК триггера и какие сигналы появляются на его выходе при заданном исходном состоянии и разных заданных последовательностях входных сигналов. Исходное состояние "0", последовательность входных сигналов – S, R, S, R, S, S.
• # Запишите, в какие состояния последовательно переходит сквид R-S БОК триггера и какие сигналы появляются на его выходе при заданном исходном состоянии и разных заданных последовательностях входных сигналов. Исходное состояние "1", последовательность входных сигналов – S, R, S, R, S, S.
• # Запишите, в какие состояния последовательно переходит сквид R-S БОК триггера и какие сигналы появляются на его выходе при заданном исходном состоянии и разных заданных последовательностях входных сигналов. Исходное состояние "0", последовательность входных сигналов – R, R, S, R, S, R.
• # Ниже показаны временные диаграммы выходных одноквантовых импульсов БОК инвертора, начиная со второго такта работы. Вдоль горизонтали отложено время, штриховыми отрезками показаны моменты прихода тактовых импульсов. Запишите последовательность сигналов, которые поступали на вход инвертора в 1-7 тактах, начиная от первого такта работы. [Большая Картинка]
• # Ниже показаны временные диаграммы выходных одноквантовых импульсов БОК инвертора, начиная со второго такта работы. Вдоль горизонтали отложено время, штриховыми отрезками показаны моменты прихода тактовых импульсов. Запишите последовательность сигналов, которые поступали на вход инвертора в 1-7 тактах, начиная от первого такта работы. [Большая Картинка]
• # Ниже показаны временные диаграммы выходных одноквантовых импульсов БОК инвертора, начиная со второго такта работы. Вдоль горизонтали отложено время, штриховыми отрезками показаны моменты прихода тактовых импульсов. Запишите последовательность сигналов, которые поступали на вход инвертора в 1-7 тактах, начиная от первого такта работы. [Большая Картинка]
• # Ниже показаны временные диаграммы выходных одноквантовых импульсов БОК инвертора, начиная со второго такта работы. Вдоль горизонтали отложено время, штриховыми отрезками показаны моменты прихода тактовых импульсов. Запишите последовательность сигналов, которые поступали на вход инвертора в 1-7 тактах, начиная от первого такта работы. [Большая Картинка]
• # Ниже показаны временные диаграммы выходных одноквантовых импульсов БОК инвертора, начиная со второго такта работы. Вдоль горизонтали отложено время, штриховыми отрезками показаны моменты прихода тактовых импульсов. Запишите последовательность сигналов, которые поступали на вход инвертора в 1-7 тактах, начиная от первого такта работы. [Большая Картинка]
• # На два входа схемы дизъюнкции БОК логики в тактах 1-7 поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, появляющихся на выходе схемы во 2-8 тактах. 01, 11, 00, 10, 11, 00, 10.
• # На два входа схемы дизъюнкции БОК логики в тактах 1-7 поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, появляющихся на выходе схемы во 2-8 тактах. 11, 10, 01, 00, 00, 10, 01.
• # На два входа схемы дизъюнкции БОК логики в тактах 1-7 поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, появляющихся на выходе схемы во 2-8 тактах. 00, 01, 11, 00, 10, 10, 00.
• # На два входа схемы дизъюнкции БОК логики в тактах 1-7 поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, появляющихся на выходе схемы во 2-8 тактах. 10, 10, 11, 00, 00, 01, 11.
• # На два входа схемы дизъюнкции БОК логики в тактах 1-7 поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, появляющихся на выходе схемы во 2-8 тактах. 00, 10, 01, 00, 00, 11, 00.
• # На два входа схемы конъюнкции БОК логики в 1-7 тактах поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, которые появляются на выходе схемы во 2-8 тактах. 01, 11, 00, 10, 11, 00, 10.
• # На два входа схемы конъюнкции БОК логики в 1-7 тактах поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, которые появляются на выходе схемы во 2-8 тактах. 11, 10, 01, 00, 00, 10, 01.
• # На два входа схемы конъюнкции БОК логики в 1-7 тактах поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, которые появляются на выходе схемы во 2-8 тактах. 00, 01, 11, 00, 10, 10, 00.
• # На два входа схемы конъюнкции БОК логики в 1-7 тактах поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, которые появляются на выходе схемы во 2-8 тактах. 10, 10, 11, 00, 00, 01, 11.
• # На два входа схемы конъюнкции БОК логики в 1-7 тактах поступают указанные ниже сигналы. Запишите последовательность сигналов, которые появляются на выходе схемы во 2-8 тактах. 00, 10, 01, 00, 00, 11, 00.
• # Рассчитайте, сколько шунтированных переходов Джозефсона требуется для реализации указанных схем БОК логики: конъюнкции на три входа.
• # Рассчитайте, сколько шунтированных переходов Джозефсона требуется для реализации указанных схем БОК логики: конъюнкции на четыре входа.
• # Рассчитайте, сколько шунтированных переходов Джозефсона требуется для реализации указанных схем БОК логики: дизъюнкции на три входа.
• # Рассчитайте, сколько шунтированных переходов Джозефсона требуется для реализации указанных схем БОК логики: NAND на два входа.
• # Рассчитайте, сколько шунтированных переходов Джозефсона требуется для реализации указанных схем БОК логики: NAND на три входа.
• # Рассчитайте минимальное время задержки сигналов схемой БОК логики для разных сверхпроводников: на основе индия с = 0,557 мэВ. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте минимальное время задержки сигналов схемой БОК логики для разных сверхпроводников: на основе тантала с = 0,737 мэВ. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте минимальное время задержки сигналов схемой БОК логики для разных сверхпроводников: на основе свинца с = 1,37 мэВ. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте минимальное время задержки сигналов схемой БОК логики для разных сверхпроводников: на основе с = 2,79 мэВ. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте минимальное время задержки сигналов схемой БОК логики для разных сверхпроводников: на основе с = 10,7 мэВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Сколько различных атомных орбиталей имеется: на 4-й электронной оболочке атома?
• # Сколько различных атомных орбиталей имеется: на электронной подоболочке 4-й электронной оболочки атома с ?
• # Сколько различных атомных орбиталей имеется: на 5-й электронной оболочке атома?
• # Сколько различных атомных орбиталей имеется: на электронной подоболочке 5-й электронной оболочки атома с ?
• # Сколько различных атомных орбиталей имеется: на электронной подоболочке 5-й электронной оболочки атома с ?
• # Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома аргона меньше диаметра его внешней электронной оболочки?
• # Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома криптона меньше диаметра его внешней электронной оболочки?
• # Во сколько раз диаметр 2-й электронной оболочки атома криптона меньше диаметра его внешней электронной оболочки?
• # Во сколько раз диаметр 2-й электронной оболочки атома ксенона меньше диаметра его внешней электронной оболочки? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Во сколько раз диаметр 3-й электронной оболочки атома ксенона меньше диаметра его внешней электронной оболочки? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома аргона больше диаметра 1-й электронной оболочки атома криптона?
• # Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома криптона меньше диаметра 1-й электронной оболочки атома неона? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Во сколько раз диаметр 2-й электронной оболочки атома криптона меньше диаметра 2-й электронной оболочки атома аргона?
• # Во сколько раз диаметр 2-й электронной оболочки атома ксенона меньше диаметра 2-й электронной оболочки атома неона? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома ксенона меньше диаметра 2-й электронной оболочки атома аргона?
• # Что является "остовом" атома алюминия?
• # Что является "остовом" атома рубидия?
• # Что является "остовом" атома кальция?
• # Что является "остовом" атома стронция?
• # Что является "остовом" атома франция?
• # Сколько общих пар электронов находится на связывающих молекулярных орбиталях в молекуле ацетилена ()?
• # Сколько общих пар электронов находится на связывающих молекулярных орбиталях в молекуле этилена ()?
• # Сколько общих пар электронов находится на связывающих молекулярных орбиталях в молекуле этана ()?
• # Сколько общих пар электронов находится на связывающих молекулярных орбиталях в молекуле бензола ()?
• # Сколько общих пар электронов находится на связывающих молекулярных орбиталях в молекуле воды ()?
• # На показаны структурные формулы молекул М1-М5, а на - структурные формулы других молекул. Выберите среди других молекул и запишите номера: изомеров к молекуле М1. [Большая Картинка] [Большая Картинка]
• # На показаны структурные формулы молекул М1-М5, а на - структурные формулы других молекул. Выберите среди других молекул и запишите номера: изомеров к молекуле М2. [Большая Картинка] [Большая Картинка]
• # На показаны структурные формулы молекул М1-М5, а на - структурные формулы других молекул. Выберите среди других молекул и запишите номера: изомеров к молекуле М3. [Большая Картинка] [Большая Картинка]
• # На показаны структурные формулы молекул М1-М5, а на - структурные формулы других молекул. Выберите среди других молекул и запишите номера: изомеров к молекуле М4. [Большая Картинка] [Большая Картинка]
• # На показаны структурные формулы молекул М1-М5, а на - структурные формулы других молекул. Выберите среди других молекул и запишите номера: изомеров к молекуле М5. [Большая Картинка] [Большая Картинка]
• # Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: расстояний.
• # Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: электрического дипольного момента.
• # Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: энергии.
• # Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: магнитного момента.
• # Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: массы.
• # Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействий взаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону, укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы для молекулярного распознавания.
• # Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействий взаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону, укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы в люминесцентных молекулярных сенсорах.
• # Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействий взаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону, укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы в иммунохроматографическом анализе.
• # Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействий взаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону, укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы для построения колориметрических наносенсоров.
• # Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействий взаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону, укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы для построения молекулярных биосенсоров с люминесцентным маркером.
• # Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: почему электроны с противоположно ориентированными спинами, находясь практически на одной и той же молекулярной орбитали, не мешают друг другу?
• # Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: почему молекулярные орбитали могут "спокойно" пересекаться, и это не приводит к "катастрофам"?
• # Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: можно ли говорить о координате или импульсе электрона на молекулярной орбитали? Почему?
• # Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: можно ли говорить об энергии электрона на молекулярной орбитали? Почему?
• # Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: отличаются ли между собой электроны, находящиеся на разных молекулярных орбиталях? Изменится ли что-нибудь в свойствах молекулы, если эти электроны поменять местами?
• # Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: оперативных запоминающих устройств.
• # Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: устройств отображения информации.
• # Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: устройств долговременного хранения информации.
• # Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: устройств логической обработки информации.
• # Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: сенсоров.
• # Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 90 нм
• # Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 45 нм
• # Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 32 нм
• # Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 22 нм
• # Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 14 нм
• # Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 5%
• # Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 10%
• # Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 20%
• # Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 30%
• # Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 40%
• # Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, или ), чтобы стать: донорами -электронов при комнатных температурах?
• # Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, или ), чтобы стать: акцепторами -электронов при комнатных температурах?
• # Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, или ), чтобы стать: донорами -электронов при температурах порядка 120 К?
• # Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, или ), чтобы стать: акцепторами -электронов при температурах порядка 120 К?
• # Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, или ), чтобы стать: донорами -электронов при температурах порядка 20 К?
• # Пользуясь вольтамперной характеристикой экспериментального молекулярного транзистора, показанной на рисунке, оцените электрическое сопротивление этого транзистора, когда сквозь него течет ток 125 пА, а напряжение на его затворе составляет: -1000 мВ
• # Пользуясь вольтамперной характеристикой экспериментального молекулярного транзистора, показанной на рисунке, оцените электрическое сопротивление этого транзистора, когда сквозь него течет ток 125 пА, а напряжение на его затворе составляет: -850 мВ
• # Пользуясь вольтамперной характеристикой экспериментального молекулярного транзистора, показанной на рисунке, оцените электрическое сопротивление этого транзистора, когда сквозь него течет ток 125 пА, а напряжение на его затворе составляет: -700 мВ
• # Пользуясь вольтамперной характеристикой экспериментального молекулярного транзистора, показанной на рисунке, оцените электрическое сопротивление этого транзистора, когда сквозь него течет ток 125 пА, а напряжение на его затворе составляет: -550 мВ
• # Пользуясь вольтамперной характеристикой экспериментального молекулярного транзистора, показанной на рисунке, оцените электрическое сопротивление этого транзистора, когда сквозь него течет ток 125 пА, а напряжение на его затворе составляет: -400 мВ
• # Оцените размеры прозрачных электродов в пикселях жидкокристаллического телевизионного экрана с разрешающей способностью 5 линий/мм
• # Оцените размеры прозрачных электродов в пикселях жидкокристаллического телевизионного экрана с разрешающей способностью достаточной для того, чтобы на изображении высотой 300 мм были четко видны все 625 строк
• # Оцените размеры прозрачных электродов в пикселях жидкокристаллического телевизионного экрана с разрешающей способностью достаточной для того, чтобы на изображении высотой 400 мм были четко видны 720 строк телевидения повышенной четкости
• # Оцените размеры прозрачных электродов в пикселях жидкокристаллического телевизионного экрана с разрешающей способностью достаточной для того, чтобы на изображении высотой 400 мм были четко видны 1080 строк телевидения высокой четкости
• # Оцените размеры прозрачных электродов в пикселях жидкокристаллического телевизионного экрана с разрешающей способностью достаточной для того, чтобы на изображении высотой 400 мм были четко видны 1250 строк телевидения высокой четкости
• # Оцените теоретически возможные размеры сети клеточных автоматов, построенных из молекул, изображенных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм: площадь одного разряда многоразрядного сумматора с переносами, если известно, что при размерах наноостровков в 20 нм его можно разместить на площади приблизительно 1,5 мкм2 (ответ укажите в нм2)
• # Оцените теоретически возможные размеры сети клеточных автоматов, построенных из молекул, изображенных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм: площадь процессора, состоящего из 1,6 млн. элементарных автоматов, если на них приходится 60% всей площади (ответ укажите в мкм2). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Оцените теоретически возможные размеры сети клеточных автоматов, построенных из молекул, изображенных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм: площадь процессора, состоящего из 32 млн. элементарных автоматов, если на них приходится 50% всей площади (ответ укажите в мкм2)
• # Оцените теоретически возможные размеры сети клеточных автоматов, построенных из молекул, изображенных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм: площадь процессора, состоящего из 845 млн. элементарных автоматов, если на них приходится 35% всей площади (ответ укажите в мкм2)
• # Вычислите суммарную энергию связи 4-х внешних электронов с "остовом" атома углерода в основном состоянии (ответ укажите в эВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Вычислите суммарную энергию связи 4-х внешних электронов с "остовом" атома углерода в состоянии –гибридизации (ответ укажите в эВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Вычислите суммарную энергию связи 4-х внешних электронов с "остовом" атома углерода в состоянии -гибридизации (ответ укажите в эВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Вычислите суммарную энергию связи 4-х внешних электронов с "остовом" атома углерода в состоянии -гибридизации (ответ укажите в эВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Вычислите суммарную энергию связи 4-х внешних электронов с "остовом" атома углерода в первом возбужденном состоянии (ответ укажите в эВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # На рисунке показана схема экспериментов для выявления возможных форм существования углерода. [Большая Картинка] Что обозначено на этой схеме номерами:1,2?
• # На рисунке показана схема экспериментов для выявления возможных форм существования углерода. [Большая Картинка] Что обозначено на этой схеме номерами: 4 и 5?
• # На рисунке показана схема экспериментов для выявления возможных форм существования углерода. [Большая Картинка] Что обозначено на этой схеме номерами: 6 и 7?
• # На рисунке показана схема экспериментов для выявления возможных форм существования углерода. [Большая Картинка] Что обозначено на этой схеме номерами: 9 и 10?
• # Зная, что диаметр фуллерена составляет приблизительно 0,9 нм, оцените диаметр фуллерена . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Зная, что диаметр фуллерена составляет приблизительно 0,9 нм, оцените диаметр фуллерена . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Зная, что диаметр фуллерена составляет приблизительно 0,9 нм, оцените диаметр фуллерена . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Зная, что диаметр фуллерена составляет приблизительно 0,9 нм, оцените диаметр фуллерена . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Зная, что диаметр фуллерена составляет приблизительно 0,9 нм, оцените диаметр фуллерена . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Сколько -электронов имеет молекула ?
• # Сколько -электронов имеет молекула ?
• # Сколько -электронов имеет молекула ?
• # Сколько -электронов имеет молекула ?
• # Сколько -электронов имеет молекула ?
• # Оцените, сколько -электронов имеет однослойная УНТ диаметром 2,7 нм и длиной 600 нм?
• # Оцените, сколько -электронов имеет однослойная УНТ диаметром 2,7 нм и длиной 1 мкм?
• # Оцените, сколько -электронов имеет однослойная УНТ диаметром 1,8 нм и длиной 6,7 мкм?
• # Оцените, сколько -электронов имеет однослойная УНТ диаметром 3,6 нм и длиной 16 мкм?
• # Оцените, сколько -электронов имеет однослойная УНТ диаметром 3,6 нм и длиной 125 мкм?
• # Рассчитайте диаметр УНТ: с хиральностью (зигзаг). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Рассчитайте диаметр УНТ: с хиральностью (седловая структура). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Рассчитайте диаметр УНТ: с хиральностью . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Рассчитайте диаметр УНТ: с хиральностью . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Рассчитайте диаметр УНТ: с хиральностью . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 1,5 мм, а диаметр УНТ – 3,6 нм?
• # При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 0,5 мм, а диаметр УНТ – 2,7 нм?
• # При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 0,85 мм, а диаметр УНТ – 1,8 нм?
• # При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 2,1 мм, а диаметр УНТ – 1,6 нм?
• # При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 2,5 мм, а диаметр УНТ – 1,36 нм?
• # Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 25 В, а диаметр УНТ – 3,6 нм (ответ укажите в нА)
• # Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 20 В, а диаметр УНТ – 2,7 нм (ответ укажите в нА)
• # Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 15 В, а диаметр УНТ – 1,8 нм (ответ укажите в мкА). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 15 В, а диаметр УНТ – 1,6 нм (ответ укажите в мкА). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 10 В, а диаметр УНТ – 1,36 нм (ответ укажите в нА)
• # Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: меньше 0,3 эВ?
• # Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 0,8 до 0,85 эВ?
• # Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,05 до 1,15 эВ?
• # Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,25 до 1,35 эВ?
• # Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,4 до 1,45 эВ?
• # Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на [Большая Картинка], оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме, показанной на [Большая Картинка], а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:
• # Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на [Большая Картинка], оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме, показанной на [Большая Картинка], а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:
• # Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на [Большая Картинка], оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме, показанной на [Большая Картинка], а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:
• # Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на [Большая Картинка], оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме, показанной на [Большая Картинка], а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:
• # Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на [Большая Картинка], оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме, показанной на [Большая Картинка], а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,2 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 50 фФ. (ответ введите в нс)
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,2 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 5 фФ. (ответ введите в нс)
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,2 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 500 аФ. (ответ введите в пс)
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,5 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 3 фФ . (ответ введите в нс). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,5 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 100 аФ. (ответ введите в пс)
• # Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:
• # Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:
• # Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:
• # Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:
• # Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:
• # Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 45 нм.
• # Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 32 нм.
• # Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 22 нм.
• # Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 16 нм.
• # Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 11 нм.
• # Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 25 мс после начала освещения?
• # Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 6,4 мс после начала освещения?
• # Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 1,6 мс после начала освещения?
• # Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 400 мкс после начала освещения?
• # Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 100 мкс после начала освещения?
• # Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность 1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула металлофуллерена ? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность 1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула аспирина ? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность 1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула краун-эфира вместе с захваченным ионом калия? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность 1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула фуллерена ? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность 1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула флуоробифенила ? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом и ток холодной эмиссии . Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. = 50 В, = 2,5 мкА.
• # Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом и ток холодной эмиссии . Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. = 80 В, = 1,6 мкА.
• # Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом и ток холодной эмиссии . Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. = 120 В, = 1,5 мкА.
• # Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом и ток холодной эмиссии . Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. = 75 В, = 2,4 мкА.
• # Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом и ток холодной эмиссии . Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. = 150 В, = 4,5 мкА.
• # Оцените количество -электронов в пленке графена площадью 600 мкм2.
• # Оцените количество -электронов в пленке графена площадью 90 мкм2.
• # Оцените количество -электронов в пленке графена площадью 0,45 мм2.
• # Оцените количество -электронов в пленке графена площадью 3,6 мм2.
• # Оцените количество -электронов в пленке графена площадью 25 см2.
• # Известно, что при отжиге пленок графана в атмосфере аргона при атомы водорода отсоединяются. Оцените, сколько молекул водорода образуется при отжиге пленки графана площадью 800 мкм2
• # Известно, что при отжиге пленок графана в атмосфере аргона при атомы водорода отсоединяются. Оцените, сколько молекул водорода образуется при отжиге пленки графана площадью 0,54 мм2
• # Известно, что при отжиге пленок графана в атмосфере аргона при атомы водорода отсоединяются. Оцените, сколько молекул водорода образуется при отжиге пленки графана площадью 3,6 мм2
• # Известно, что при отжиге пленок графана в атмосфере аргона при атомы водорода отсоединяются. Оцените, сколько молекул водорода образуется при отжиге пленки графана площадью 3,6 см2
• # Известно, что при отжиге пленок графана в атмосфере аргона при атомы водорода отсоединяются. Оцените, сколько молекул водорода образуется при отжиге пленки графана площадью 25 см2
• # Считая, что каждые 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать 1 Гбит информации, рассчитайте пропускную способность канала связи с использованием полевых транзисторов на основе графена, если радиоусилители на таких транзисторах обеспечивают возможность работы в частотной полосе шириной: 96 ГГц? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Считая, что каждые 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать 1 Гбит информации, рассчитайте пропускную способность канала связи с использованием полевых транзисторов на основе графена, если радиоусилители на таких транзисторах обеспечивают возможность работы в частотной полосе шириной: 125 ГГц? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Считая, что каждые 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать 1 Гбит информации, рассчитайте пропускную способность канала связи с использованием полевых транзисторов на основе графена, если радиоусилители на таких транзисторах обеспечивают возможность работы в частотной полосе шириной: 160 ГГц?
• # Считая, что каждые 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать 1 Гбит информации, рассчитайте пропускную способность канала связи с использованием полевых транзисторов на основе графена, если радиоусилители на таких транзисторах обеспечивают возможность работы в частотной полосе шириной: 185 ГГц? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Считая, что каждые 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать 1 Гбит информации, рассчитайте пропускную способность канала связи с использованием полевых транзисторов на основе графена, если радиоусилители на таких транзисторах обеспечивают возможность работы в частотной полосе шириной: 216 ГГц? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Считая, что для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна частотная полоса шириной 125 МГц, рассчитайте: с помощью полевых транзисторов на основе графена максимальную частоту модуляции сигналов в волоконно-оптическом кабеле связи удалось повысить от 45 ГГц до 216 ГГц, и 20% дополнительного частотного диапазона отвели на передачу сигналов цифрового телевидения. Сколько HD каналов можно теперь дополнительно передавать через этот кабель?
• # Считая, что для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна частотная полоса шириной 125 МГц, рассчитайте: с помощью полевых транзисторов на основе графена максимальную частоту модуляции сигналов в волоконно-оптическом кабеле связи удалось повысить от 55 ГГц до 125 ГГц. Сколько HD каналов телевидения теоретически можно теперь дополнительно передавать через этот кабель?
• # Считая, что для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна частотная полоса шириной 125 МГц, рассчитайте: благодаря использованию полевых транзисторов на основе графена частоту трансляции спутникового телевидения удалось повысить так, что максимальная частота модуляции сигналов возросла от 12 ГГц до 36 ГГц. Сколько HD каналов можно теперь дополнительно транслировать через спутник, если на их трансляцию используют 21% дополнительной частотной полосы?
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что: напряжение питания составляет ± 3 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 1,5 фФ. (ответ укажите в нс)
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что: напряжение питания составляет ± 3 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 250 аФ. (ответ укажите в нс)
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что: напряжение питания составляет ± 3 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 50 аФ. (ответ укажите в пс)
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что: напряжение питания составляет ± 4,5 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 20 аФ. (ответ укажите в пс)
• # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что: напряжение питания составляет ± 4,5 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 4 аФ. (ответ укажите в пс)
• # Оцените мощность, которая в среднем рассеивается на один вентиль комплементарной логики при использовании полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что период поступления сигналов в 2,5 раза превышает время задержки и: напряжение питания составляет ± 3 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 1,5 фФ. (ответ укажите в мкВт). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Оцените мощность, которая в среднем рассеивается на один вентиль комплементарной логики при использовании полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что период поступления сигналов в 2,5 раза превышает время задержки и: напряжение питания составляет ± 3 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 250 аФ. (ответ укажите в мкВт). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Оцените мощность, которая в среднем рассеивается на один вентиль комплементарной логики при использовании полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что период поступления сигналов в 2,5 раза превышает время задержки и: напряжение питания составляет ± 3 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 50 аФ. (ответ укажите в мкВт). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Оцените мощность, которая в среднем рассеивается на один вентиль комплементарной логики при использовании полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что период поступления сигналов в 2,5 раза превышает время задержки и: напряжение питания составляет ± 4,5 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 20 аФ. (ответ укажите в мкВт). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Оцените мощность, которая в среднем рассеивается на один вентиль комплементарной логики при использовании полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что период поступления сигналов в 2,5 раза превышает время задержки и: напряжение питания составляет ± 4,5 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 4 аФ. (ответ укажите в мкВт). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Какую чувствительность имеют наноэлектронные весы на упругой полоске графена, если при осаждении на нее молекулы металлофуллерена частота колебаний полоски изменяется на 9,6 Гц? (ответ укажите в а.е.м./Гц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Какую чувствительность имеют наноэлектронные весы на упругой полоске графена, если при осаждении на нее молекулы аспирина частота колебаний полоски изменяется на 1,6 Гц? (ответ укажите в а.е.м./Гц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Какую чувствительность имеют наноэлектронные весы на упругой полоске графена, если при осаждении на нее молекулы краун-эфира (вместе с захваченным ионом калия) частота колебаний полоски изменяется на 2,9 Гц? (ответ укажите в а.е.м./Гц)
• # Какую чувствительность имеют наноэлектронные весы на упругой полоске графена, если при осаждении на нее молекулы фуллерена частота колебаний полоски изменяется на 8,9 Гц? (ответ укажите в а.е.м./Гц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Какую чувствительность имеют наноэлектронные весы на упругой полоске графена, если при осаждении на нее молекулы флуоробифенила частота колебаний полоски изменяется на 4,6 Гц? (ответ укажите в а.е.м./Гц)
• # Какой диаметр имела УНТ, если после ее раскрытия образовалась полоска графена шириной 3,8 нм? (ответ укажите в нм). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Какой диаметр имела УНТ, если после ее раскрытия образовалась полоска графена шириной 5,4 нм? (ответ укажите в нм). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Какой диаметр имела УНТ, если после ее раскрытия образовалась полоска графена шириной 8,6 нм? (ответ укажите в нм). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Какой диаметр имела УНТ, если после ее раскрытия образовалась полоска графена шириной 9,6 нм? (ответ укажите в нм). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Какой диаметр имела УНТ, если после ее раскрытия образовалась полоска графена шириной 12,5 нм? (ответ укажите в нм). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Пусть базовому состоянию кубита
• # Пусть базовому состоянию кубита
• # Пусть базовому состоянию кубита
• # Пусть базовому состоянию кубита
• # Пусть базовому состоянию кубита
• # Какой вектор на сфере Блоха соответствует состоянию кубита, описываемому заданной волновой функцией ? Укажите угловые координаты этого вектора. .
• # Какой вектор на сфере Блоха соответствует состоянию кубита, описываемому заданной волновой функцией ? Укажите угловые координаты этого вектора. .
• # Какой вектор на сфере Блоха соответствует состоянию кубита, описываемому заданной волновой функцией ? Укажите угловые координаты этого вектора. .
• # Какой вектор на сфере Блоха соответствует состоянию кубита, описываемому заданной волновой функцией ? Укажите угловые координаты этого вектора. .
• # Какой вектор на сфере Блоха соответствует состоянию кубита, описываемому заданной волновой функцией ? Укажите угловые координаты этого вектора. .
• # Состояние кубита описывается волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Рассчитайте вероятности считывания состояний и классическим бистабильным считывающим устройством в случаях, когда: .
• # Состояние кубита описывается волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Рассчитайте вероятности считывания состояний и классическим бистабильным считывающим устройством в случаях, когда:.
• # Состояние кубита описывается волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Рассчитайте вероятности считывания состояний и классическим бистабильным считывающим устройством в случаях, когда: .
• # Состояние кубита описывается волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Рассчитайте вероятности считывания состояний и классическим бистабильным считывающим устройством в случаях, когда: .
• # Состояние кубита описывается волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Рассчитайте вероятности считывания состояний и классическим бистабильным считывающим устройством в случаях, когда: .
• # В квантовом регистре, состоящем из двух кубитов, волновая функция первого в общем случае равна , волновая функция второго равна . Запишите выражение для базисных волновых функций и .
• # В квантовом регистре, состоящем из двух кубитов, волновая функция первого в общем случае равна , волновая функция второго равна . Запишите выражение для базисных волновых функций и .
• # В квантовом регистре, состоящем из двух кубитов, волновая функция первого в общем случае равна , волновая функция второго равна . Запишите выражение для волновой функции регистра в случае, когда первый кубит находится в базовом состоянии .
• # В квантовом регистре, состоящем из двух кубитов, волновая функция первого в общем случае равна , волновая функция второго равна . Запишите выражение для волновой функции регистра в случае, когда второй кубит находится в базовом состоянии .
• # Состояние кубита задано волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Запишите волновую функцию того состояния кубита, в которое он перейдет в результате преобразования Адамара . Если .
• # Состояние кубита задано волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Запишите волновую функцию того состояния кубита, в которое он перейдет в результате преобразования Адамара . Если .
• # Состояние кубита задано волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Запишите волновую функцию того состояния кубита, в которое он перейдет в результате преобразования Адамара . Если .
• # Состояние кубита задано волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Запишите волновую функцию того состояния кубита, в которое он перейдет в результате преобразования Адамара . Если .
• # Состояние кубита задано волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Запишите волновую функцию того состояния кубита, в которое он перейдет в результате преобразования Адамара . Если .
• # Пусть кубит находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . В какое состояние перейдет кубит после выполнения над ним указанной квантовой логической операции? Охарактеризуйте это новое состояние новыми значениями угловых координат . после выполнения операции отрицания?
• # Пусть кубит находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . В какое состояние перейдет кубит после выполнения над ним указанной квантовой логической операции? Охарактеризуйте это новое состояние новыми значениями угловых координат . после выполнения операции инверсии фазы?
• # Пусть кубит находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . В какое состояние перейдет кубит после выполнения над ним указанной квантовой логической операции? Охарактеризуйте это новое состояние новыми значениями угловых координат . после выполнения операции отрицания?
• # Пусть кубит находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . В какое состояние перейдет кубит после выполнения над ним указанной квантовой логической операции? Охарактеризуйте это новое состояние новыми значениями угловых координат . после выполнения операции отрицания?
• # Пусть кубит находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . В какое состояние перейдет кубит после выполнения над ним указанной квантовой логической операции? Охарактеризуйте это новое состояние новыми значениями угловых координат . после выполнения преобразования Адамара?
• # Пусть имеется пара из двух слабо связанных между собой кубитов. Первый из них находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами , а второй – в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . Запишите выражение для волновой функции регистра, когда кубиты находятся в состояниях .
• # Пусть имеется пара из двух слабо связанных между собой кубитов. Первый из них находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами , а второй – в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . Кубиты находятся в гибридном состоянии . В какое состояние перейдут эти кубиты после выполнения операции SWAP? Охарактеризуйте это новое состояние новыми значениями угловых координат и .
• # Пусть имеется пара из двух слабо связанных между собой кубитов. Первый из них находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами , а второй – в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . Кубиты находятся в гибридном состоянии . Запишите выражение для волновой функции регистра после выполнения операции SWAP.
• # Пусть имеется пара из двух слабо связанных между собой кубитов. Первый из них находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами , а второй – в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . Кубиты находятся в гибридном состоянии . В какое состояние перейдут эти кубиты после выполнения операции , если управляющим является первый кубит? Охарактеризуйте это новое состояние новыми значениями угловых координат и .
• # Пусть имеется пара из двух слабо связанных между собой кубитов. Первый из них находится в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами , а второй – в гибридном состоянии, которому на сфере Блоха соответствует вектор с угловыми координатами . Кубиты находятся в гибридном состоянии . Запишите выражение для волновой функции регистра после выполнения операции , если управляющим является первый кубит?
• # Сравните среднее число операций, требуемое для поиска в неструктурированной базе данных с помощью классического процессора и с помощью квантового процессора с алгоритмом Гровера в случае, когда: число записей
• # Сравните среднее число операций, требуемое для поиска в неструктурированной базе данных с помощью классического процессора и с помощью квантового процессора с алгоритмом Гровера в случае, когда: число записей
• # Сравните среднее число операций, требуемое для поиска в неструктурированной базе данных с помощью классического процессора и с помощью квантового процессора с алгоритмом Гровера в случае, когда: число записей
• # Сравните среднее число операций, требуемое для поиска в неструктурированной базе данных с помощью классического процессора и с помощью квантового процессора с алгоритмом Гровера в случае, когда: число записей
• # Сравните среднее число операций, требуемое для поиска в неструктурированной базе данных с помощью классического процессора и с помощью квантового процессора с алгоритмом Гровера в случае, когда: число записей
• # На сколько разных подуровней расщепляется в магнитном поле каждый разрешенный энергетический уровень частицы со спином = 5/2?
• # Каждый из разрешенных энергетических уровней частицы в магнитном поле расщепился на 7 подуровней. Какой спин имеет эта частица?
• # На сколько разных подуровней расщепляется в магнитном поле каждый разрешенный энергетический уровень частицы со спином = 7/2?
• # Каждый из разрешенных энергетических уровней частицы в магнитном поле расщепился на 9 подуровней. Какой спин имеет эта частица?
• # На сколько разных подуровней расщепляется в магнитном поле каждый разрешенный энергетический уровень частицы со спином = 9/2?
• # Рассчитайте магнитный момент ядра , если энергетическое расстояние между уровнями его энергии, расщепленными в магнитном поле 2,5 Тл составляет 98,5 нэВ
• # Рассчитайте энергетическое расстояние (в наноэлектрон-вольтах) между расщепленными в магнитном поле 3 Тл уровнями энергии ядра , если его магнитный момент составляет 5,71*10-27 Дж/Тл (ответ укажите в нэВ)
• # Рассчитайте магнитный момент ядра , если энергетическое расстояние между уровнями его энергии, расщепленными в магнитном поле 2,4 Тл составляет 40,7 нэВ
• # Рассчитайте магнитный момент ядра , если энергетическое расстояние между уровнями его энергии, расщепленными в магнитном поле 3,5 Тл составляет 718 нэВ
• # Рассчитайте энергетическое расстояние (в наноэлектрон-вольтах) между расщепленными в магнитном поле 2 Тл уровнями энергии ядра , если его магнитный момент составляет 1,326*10-26 Дж/Тл. Какой частоте в спектре ЯМР соответствует переход между этими уровнями?
• # Рассчитайте частоту прецессии в магнитном поле 3,2 Тл магнитного момента ядра , если его гиромагнитное отношение равно 10,71 МГц/Тл. (ответ введите в МГц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте гиромагнитное отношение для ядра , если частота его прецессии в магнитном поле 2,34 Тл составляет 40,52 МГц.(ответ введите в МГц/Тл). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте частоту прецессии в магнитном поле 3,2 Тл магнитного момента ядра , если его гиромагнитное отношение равно 40,08 МГц/Тл.(ответ введите в МГц)
• # Рассчитайте гиромагнитное отношение для ядра , если частота его прецессии в магнитном поле 2,34 Тл составляет 10,14 МГц.(ответ введите в МГц/Тл). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Рассчитайте на сколько частота прецессии в магнитном поле 2,34 Тл магнитного момента ядра с гиромагнитным отношением 11,27 МГц/Тл превышает частоту прецессии в том же магнитном поле магнитного момента ядра с гиромагнитным отношением 3,58 МГц/Тл.(ответ введите в МГц)
• # Рассчитайте гиромагнитное отношение для ядра , если частота Раби для него в резонансном переменном поперечном магнитном поле амплитудой 20 мТл составляет 346 кГц. (ответ укажите в МГц/Тл). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте продолжительность пи-импульса поперечного магнитного поля, если частота Раби в подвижной системе координат составляет 112 кГц. (ответ укажите в мкс). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Рассчитайте частоту прецессии Раби магнитного момента ядра , если индукция постоянного магнитного поля в 145 раз превышает амплитуду резонансного поперечного переменного магнитного поля с частотой 35 МГц. (ответ укажите в кГц)
• # Рассчитайте какой должна быть длительность -импульса резонансного поперечного переменного магнитного поля с частотой 35 МГц, если амплитуда колебаний вектора магнитной индукции в этом поле в 145 раз меньше индукции постоянного магнитного поля. (ответ укажите в нс)
• # Рассчитайте амплитуду резонансного поперечного переменного магнитного поля с частотой 35 МГц, если продолжительность пи-импульса такого поля составляет 1,5 мкс, а постоянное магнитное поле имеет индукцию 2,4 Тл. (ответ укажите в МТл). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Квантовый регистр на основе атомов , капсулированных внутри фуллерена , размещен в постоянном градиентном магнитном поле. Можно считать, что градиент поля везде одинаков и кубиты расположены в линейку на одинаковых расстояниях. В точке расположения первого кубита индукция Тл, а в точке расположения последнего Тл. Рассчитайте разность в резонансных частотах ЭСР соседних кубитов, если: регистр составлен из 128 кубитов (ответ укажите в МГц)
• # Квантовый регистр на основе атомов , капсулированных внутри фуллерена , размещен в постоянном градиентном магнитном поле. Можно считать, что градиент поля везде одинаков и кубиты расположены в линейку на одинаковых расстояниях. В точке расположения первого кубита индукция Тл, а в точке расположения последнего Тл. Рассчитайте разность в резонансных частотах ЭСР соседних кубитов, если: регистр состоит из 256 кубитов (ответ укажите в МГц)
• # Квантовый регистр на основе атомов , капсулированных внутри фуллерена , размещен в постоянном градиентном магнитном поле. Можно считать, что градиент поля везде одинаков и кубиты расположены в линейку на одинаковых расстояниях. В точке расположения первого кубита индукция Тл, а в точке расположения последнего Тл. Рассчитайте разность в резонансных частотах ЭСР соседних кубитов, если: регистр состоит из 512 кубитов (ответ укажите в МГц)
• # Квантовый регистр на основе атомов , капсулированных внутри фуллерена , размещен в постоянном градиентном магнитном поле. Можно считать, что градиент поля везде одинаков и кубиты расположены в линейку на одинаковых расстояниях. В точке расположения первого кубита индукция Тл, а в точке расположения последнего Тл. Рассчитайте разность в резонансных частотах ЭСР соседних кубитов, если: регистр состоит из 1024 кубитов (ответ укажите в МГц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Квантовый регистр на основе атомов , капсулированных внутри фуллерена , размещен в постоянном градиентном магнитном поле. Можно считать, что градиент поля везде одинаков и кубиты расположены в линейку на одинаковых расстояниях. В точке расположения первого кубита индукция Тл, а в точке расположения последнего Тл. Рассчитайте разность в резонансных частотах ЭСР соседних кубитов, если: регистр состоит из 2048 кубитов (ответ укажите в МГц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Cпиновый кубит находится в базовом состоянии и должен быть переведен -радиоимпульсом в смешанное состояние, которое описывается волновой функцией \frac{\sqrt{2}}{2} [\Psi(|1\rangle)+\Psi(|0\rangle)] \approx 0,70711\Psi(|1\rangle) + 0,70711\Psi(|0\rangle). Напишите выражение для волновой функции нового состояния кубита, в который он фактически перейдет, если длительность радиоимпульса будет на короче расчетной.
• # Cпиновый кубит находится в базовом состоянии и должен быть переведен -радиоимпульсом в смешанное состояние, которое описывается волновой функцией \frac{\sqrt{2}}{2} [\Psi(|1\rangle)+\Psi(|0\rangle)] \approx 0,70711\Psi(|1\rangle) + 0,70711\Psi(|0\rangle). Напишите выражение для волновой функции нового состояния кубита, в который он фактически перейдет, если длительность радиоимпульса будет на короче расчетной.
• # Cпиновый кубит находится в базовом состоянии и должен быть переведен -радиоимпульсом в смешанное состояние, которое описывается волновой функцией \frac{\sqrt{2}}{2} [\Psi(|1\rangle)+\Psi(|0\rangle)] \approx 0,70711\Psi(|1\rangle) + 0,70711\Psi(|0\rangle). Напишите выражение для волновой функции нового состояния кубита, в который он фактически перейдет, если длительность радиоимпульса будет на короче расчетной.
• # Cпиновый кубит находится в базовом состоянии и должен быть переведен -радиоимпульсом в смешанное состояние, которое описывается волновой функцией \frac{\sqrt{2}}{2} [\Psi(|1\rangle)+\Psi(|0\rangle)] \approx 0,70711\Psi(|1\rangle) + 0,70711\Psi(|0\rangle). Напишите выражение для волновой функции нового состояния кубита, в который он фактически перейдет, если длительность радиоимпульса будет на короче расчетной.
• # Cпиновый кубит находится в базовом состоянии и должен быть переведен -радиоимпульсом в смешанное состояние, которое описывается волновой функцией \frac{\sqrt{2}}{2} [\Psi(|1\rangle)+\Psi(|0\rangle)] \approx 0,70711\Psi(|1\rangle) + 0,70711\Psi(|0\rangle). Напишите выражение для волновой функции нового состояния кубита, в который он фактически перейдет, если длительность радиоимпульса будет на короче расчетной.
• # Рассчитайте время выполнения квантовой логической операции отрицания над электронным спиновым кубитом, если: индукция постоянного магнитного поля составляет 2,4 Тл, частота ЭСР 54,5 ГГц, амплитуда резонансного поперечного магнитного поля 30 мТл (ответ введите в пс).
• # Рассчитайте время выполнения квантовой логической операции отрицания над электронным спиновым кубитом, если: индукция постоянного магнитного поля составляет 2,9 Тл, частота ЭСР 65,4 ГГц, амплитуда резонансного поперечного магнитного поля 32 мТл (ответ введите в пс).
• # Рассчитайте время выполнения квантовой логической операции отрицания над электронным спиновым кубитом, если: индукция постоянного магнитного поля составляет 2,2 Тл, частота ЭСР 50,2 ГГц, амплитуда резонансного поперечного магнитного поля 26 мТл (ответ введите в пс).
• # Рассчитайте время выполнения квантовой логической операции отрицания над электронным спиновым кубитом, если: индукция постоянного магнитного поля составляет 3,0 Тл, частота ЭСР 68,3 ГГц, амплитуда резонансного поперечного магнитного поля 28 мТл (ответ введите в пс).
• # Рассчитайте время выполнения квантовой логической операции отрицания над электронным спиновым кубитом, если: индукция постоянного магнитного поля составляет 2,0 Тл, частота ЭСР 45,8 ГГц, амплитуда резонансного поперечного магнитного поля 25 мТл (ответ введите в пс).