Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления /
Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое
Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:
вопросПравильный ответ:
14,4 фДж, 240 нВт
1,44 фДж, 240 нВт
144 аДж, 240 нВт
13,5 фДж, 3 мкВт
450 аДж, 3 мкВт
Сложность вопроса
92
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт в студне отлично. Мчусь пить отмечать зачёт по тестам
16 дек 2019
Аноним
Я провалил зачёт, почему я не нашёл этот сайт с решениями с тестами intuit до зачёта
02 окт 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет . Рассчитайте минимальное изменение индукции магнитного поля, которое можно зарегистрировать с помощью такого магнитометра, если внутреннее отверстие его сквида представляет собой прямоугольник размерами: . Используйте формулу связи между величиной магнитной индукции, площадью контура и магнитным потоком сквозь него: .
- # Считая одноквантовый импульс напряжения треугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 0,5 пс. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома криптона меньше диаметра 1-й электронной оболочки атома неона? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: устройств долговременного хранения информации.
- # При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 2,1 мм, а диаметр УНТ – 1,6 нм?