Главная / Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления / Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в

Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 32 нм.

вопрос

Правильный ответ:

2*107 бит/мм2
4*107 бит/мм2
8,6*107 бит/мм2
1,6*108 бит/мм2
3,4*108 бит/мм2
Сложность вопроса
84
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Очень сложно
Сложно
Средне
Легко
Очень легко
Комментарии:
Аноним
Пишет вам сотрудник деканата! Срочно уничтожьте этот ваш сайт с ответами на интуит. Пишу жалобу
07 янв 2017
Аноним
Кто ищет эти ответы интуит? Это же очень просты вопросы
14 янв 2016
Оставить комментарий
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.