Главная / Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления / Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в

Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 22 нм.

вопрос

Правильный ответ:

2*107 бит/мм2
4*107 бит/мм2
8,6*107 бит/мм2
1,6*108 бит/мм2
3,4*108 бит/мм2
Сложность вопроса
35
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Очень сложно
Сложно
Средне
Легко
Очень легко
Комментарии:
Аноним
Спасибо за сайт
06 сен 2018
Аноним
Спасибо за ответы интуит
19 янв 2016
Оставить комментарий
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.