Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления /
Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в
Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 16 нм.
вопросПравильный ответ:
2*107 бит/мм2
4*107 бит/мм2
8,6*107 бит/мм2
1,6*108 бит/мм2
3,4*108 бит/мм2
Сложность вопроса
95
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Экзамен сдан на 4. спс
17 ноя 2019
Аноним
Благодарю за решениями по intuit.
04 май 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана логическая схема на криотронах. Какую логическую функцию выполняет соответствующая схема? [Большая Картинка]
-
#
Оцените, какой должна быть площадь сечения вертикального джозефсоновского интерферометра, чтобы магнитный поток сквозь его вертикальное отверстие достигал половины кванта магнитного потока
при заданной величине горизонтальной магнитной индукции
. Какими должны быть высота и ширина отверстия при их соотношении 1:12?
= 0,2 Тл?
- # Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 100 мкс после начала освещения?
-
#
Состояние кубита описывается волновой функцией
, выраженной через базисные волновые функции
и
. Рассчитайте вероятности считывания состояний
и
классическим бистабильным считывающим устройством в случаях, когда:
.
-
#
Квантовый регистр на основе атомов
, капсулированных внутри фуллерена
, размещен в постоянном градиентном магнитном поле. Можно считать, что градиент поля везде одинаков и кубиты расположены в линейку на одинаковых расстояниях. В точке расположения первого кубита индукция
Тл, а в точке расположения последнего
Тл. Рассчитайте разность в резонансных частотах ЭСР соседних кубитов, если: регистр составлен из 128 кубитов (ответ укажите в МГц)
при заданной величине горизонтальной магнитной индукции
. Какими должны быть высота и ширина отверстия при их соотношении 1:12?
, выраженной через базисные волновые функции
и
. Рассчитайте вероятности считывания состояний
и
классическим бистабильным считывающим устройством в случаях, когда:
.
, капсулированных внутри фуллерена
, размещен в постоянном градиентном магнитном поле. Можно считать, что градиент поля везде одинаков и кубиты расположены в линейку на одинаковых расстояниях. В точке расположения первого кубита индукция
Тл, а в точке расположения последнего
Тл. Рассчитайте разность в резонансных частотах ЭСР соседних кубитов, если: регистр составлен из 128 кубитов (ответ укажите в МГц)