Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 11 нм.

Правильный ответ:

• # Запишите, в какие состояния последовательно переходит сквид R-S БОК триггера и какие сигналы появляются на его выходе при заданном исходном состоянии и разных заданных последовательностях входных сигналов. Исходное состояние "1", последовательность входных сигналов – S, R, S, R, S, S.
• # На показаны структурные формулы молекул М1-М5, а на - структурные формулы других молекул. Выберите среди других молекул и запишите номера: изомеров к молекуле М4. [Большая Картинка] [Большая Картинка]
• # Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, или ), чтобы стать: донорами -электронов при комнатных температурах?
• # Оцените мощность, которая в среднем рассеивается на один вентиль комплементарной логики при использовании полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что период поступления сигналов в 2,5 раза превышает время задержки и: напряжение питания составляет ± 3 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 50 аФ. (ответ укажите в мкВт). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Какой вектор на сфере Блоха соответствует состоянию кубита, описываемому заданной волновой функцией ? Укажите угловые координаты этого вектора. .