Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления /
Квантовый регистр на основе атомов [формула] Тл. Рассчитайте разность в резонансных частотах ЭСР соседних кубитов, если: регистр состоит из 2048 кубитов (ответ укажите в МГц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Квантовый регистр на основе атомов , капсулированных внутри фуллерена , размещен в постоянном градиентном магнитном поле. Можно считать, что градиент поля везде одинаков и кубиты расположены в линейку на одинаковых расстояниях. В точке расположения первого кубита индукция Тл, а в точке расположения последнего Тл. Рассчитайте разность в резонансных частотах ЭСР соседних кубитов, если: регистр состоит из 2048 кубитов (ответ укажите в МГц). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
24,6
Сложность вопроса
76
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Кто ищет эти тесты интуит? Это же очень просты вопросы
10 фев 2019
Аноним
спасибо
22 фев 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 250 х 50 нм (ответ укажите в мкэВ)
- # Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 15 В, а диаметр УНТ – 1,6 нм (ответ укажите в мкА). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Известно, что при отжиге пленок графана в атмосфере аргона при атомы водорода отсоединяются. Оцените, сколько молекул водорода образуется при отжиге пленки графана площадью 3,6 см2
- # Оцените мощность, которая в среднем рассеивается на один вентиль комплементарной логики при использовании полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что период поступления сигналов в 2,5 раза превышает время задержки и: напряжение питания составляет ± 3 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 250 аФ. (ответ укажите в мкВт). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Рассчитайте какой должна быть длительность -импульса резонансного поперечного переменного магнитного поля с частотой 35 МГц, если амплитуда колебаний вектора магнитной индукции в этом поле в 145 раз меньше индукции постоянного магнитного поля. (ответ укажите в нс)