Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек [формула], длина каждого бита на дорожке [формула] и расстояние между дорожками [формула] = 45 нм, [формула] = 54 нм, [формула] = 127 нм.
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек
, длина каждого бита на дорожке
и расстояние между дорожками
.
= 45 нм,
= 54 нм,
= 127 нм.
вопрос
Правильный ответ:
1,8*1010 бит/см2
1,08*1010 бит/см2
1,12*1010 бит/см2
Сложность вопроса
78
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я провалил сессию, почему я не углядел данный сайт с решениями с тестами intuit раньше
15 мар 2018
Аноним
Если бы не данные подсказки - я бы не осилил c этими тестами intuit.
30 окт 2015
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # В оптическом микроскопе ближнего поля в режиме просачивания получили изображение стоячей плазмонной волны. Вычислите длину волны плазмонов (в нм), если расстояние между пучностями волны на изображении составляет 2,5 мм, увеличение 25000х.
-
#
Рассчитайте период расположения магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке
= 390 нм и плотность записи информации на магнитный диск
= 2,3*109 бит/дюйм2.
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.
-
#
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно
. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 64 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
, длина каждого бита на дорожке
и расстояние между дорожками
.
= 2,3*109 бит/дюйм2.
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.
.
. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 64 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.