Рассчитайте длину каждого бита на дорожке (в нм), если известны период расположения магнитных дорожек 645 нм и плотность записи информации на магнитный диск = 2,6*10⁹ бит/дюйм².

Правильный ответ:

• # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
• # акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход
• # Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).
• # Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 512 Мбит? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # На показана структура одного из участков приемного встречно-штыревого преобразователя в селекторе системы радиоидентификации багажа с фазоманипулированными сигналами. По аналогии с установите, на какой двоичный код "откликнется" соответствующий селектор. [Большая Картинка] [Большая Картинка]