Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 5? [картинка]
На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 5?
вопросПравильный ответ:
защитный слой, защищает рабочие слои от влияния внешней среды и от механических повреждений
магнитожесткий слой с осью легкого намагничивания, ориентированной перпендикулярно к плоскости слоя, именно в нем записывается, сохраняется и считывается информация
промежуточные слои с тщательно подобранным химическим составом, которые позволяют минимизировать внутренние магнитострикционные напряжения в системе
антиферромагнитный слой, нужен для магнитной развязки соседних противоположно намагниченных слоев
Сложность вопроса
41
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Спасибо за ответы интуит
10 ноя 2017
Аноним
Экзамен сдал на 4 с минусом.
09 янв 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 1,36*1010 бит/дюйм2.
- # Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: экстремального ультрафиолетового света с длиной волны 44
- # Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,972*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
- # Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( и ) и заданном напряжении между истоком и стоком ().
- # Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 64 Мбита при = 7? (ответ укажите в тысячах).