Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,972*10[формула]
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,972*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние ![math]()
вопрос
Правильный ответ:
16
Сложность вопроса
72
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Гранд мерси за решениями по intiut'у.
04 авг 2016
Аноним
Если бы не опубликованные подсказки - я бы сломался c этими тестами intuit.
12 дек 2015
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек
, длина каждого бита на дорожке
и расстояние между дорожками
.
= 45 нм,
= 54 нм,
= 127 нм.
- # Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8. [Большая Картинка]
-
#
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 150 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной
= 0,9, диэлектрическая постоянная среды
= 3,7. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
-
#
Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в
раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 64 Мбита при
= 7? (ответ укажите в тысячах).
-
#
Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в
раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 512 Мбит при
= 4?

, длина каждого бита на дорожке
и расстояние между дорожками
.
= 0,9, диэлектрическая постоянная среды
= 3,7. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 64 Мбита при