Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 7 нм, а расстояние между ними 3,5 нм
Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 7 нм, а расстояние между ними 3,5 нм
вопросПравильный ответ:
2,09*1012 бит/см2
2,9*1012 бит/см2
2,8*1012 бит/см2
Сложность вопроса
27
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я провалил экзамен, почему я не увидел этот великолепный сайт с решениями по интуит в начале года
02 июн 2019
Аноним
Какой студент ищет эти вопросы интуит? Это же безумно легко
31 авг 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Какие размеры имеет изображение участка сканирования размером 7х7 нм при увеличении 300000х?
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
-
#
Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 100 нм, длина волны
= 600 нм, материал – золото (
= –12;
= 1,3)
-
#
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,218
в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 2х3х5 нм.
- # Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 64 нм
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
= 600 нм, материал – золото (
= –12;
= 1,3)
в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 2х3х5 нм.