Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,218 в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 2х3х5 нм.

Правильный ответ:

• # На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 5? [Большая Картинка]
• # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна
• # Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна .
• # Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданных напряжениях на затворе () и между истоком и стоком (). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? .
• # Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: с шириной запрещенной зоны 2,26 эВ?