Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Через пленочный проводник из намагниченного ферромагнетика протекает спин-поляризованный электрический ток [формула], в котором составляющая [формула], переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в [формула] раз меньше соста
Через пленочный проводник из намагниченного ферромагнетика протекает спин-поляризованный электрический ток , в котором составляющая , переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в раз меньше составляющей , переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.
вопросПравильный ответ:
Сложность вопроса
58
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я преподаватель! Немедленно заблокируйте сайт и ответы intuit. Умоляю
27 фев 2020
Аноним
Благодарю за тесты по интуит.
21 июл 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния на 0,1 нм при условии, что работа выхода электронов из острия зонда составляет 2,0 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в раз превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.
- # Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилалюминия, требуемую для химического осаждения пленки толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции (CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
- # Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 6,4 мкс, а на пластине размещается 144 СБИС?
- # Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданных напряжениях на затворе () и между истоком и стоком (). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? .