Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Через пленочный проводник из намагниченного ферромагнетика протекает спин-поляризованный электрический ток [формула], в котором составляющая [формула], переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в [формула] раз меньше соста
Через пленочный проводник из намагниченного ферромагнетика протекает спин-поляризованный электрический ток
, в котором составляющая
, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в
раз меньше составляющей
, переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.
вопрос
Правильный ответ:
Сложность вопроса
58
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я преподаватель! Немедленно заблокируйте сайт и ответы intuit. Умоляю
27 фев 2020
Аноним
Благодарю за тесты по интуит.
21 июл 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния
на 0,1 нм при условии, что работа выхода
электронов из острия зонда составляет 2,0 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая
этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в
раз превышает составляющую
этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.
-
#
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилалюминия, требуемую для химического осаждения пленки
толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции
(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
- # Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 6,4 мкс, а на пластине размещается 144 СБИС?
-
#
Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) и заданных напряжениях на затворе (
) и между истоком и стоком (
). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок?
.
, в котором составляющая
, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в
раз меньше составляющей
, переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.
на 0,1 нм при условии, что работа выхода
электронов из острия зонда составляет 2,0 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
раз превышает составляющую
толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции
(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
,
и
) и заданных напряжениях на затворе (
) и между истоком и стоком (
). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок?
.