Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах [формула], если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение [формула], а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что [формула]? Указано значение уставки
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах , если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение , а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что , , ? Указано значение уставки .
вопросПравильный ответ:
"0"
"1"
Сложность вопроса
78
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я завалил зачёт, какого рожна я не углядел этот сайт с всеми ответами с тестами intuit до сессии
14 сен 2020
Аноним
Если бы не опубликованные решения - я бы сломался c этими тестами intuit.
04 окт 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Оцените плотность записи информации в магниторезистивном ОЗУ, в котором оптимизированная ячейка памяти имеет размеры: 540 х 480 нм
- # Через пленочный проводник из намагниченного ферромагнетика протекает спин-поляризованный электрический ток , в котором составляющая , переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в раз меньше составляющей , переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.
- # Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,972*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
- # Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. .
- # Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( и ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( и ) и длины межсоединения (). = 25; = 40 нм; = 80 нм; = 1,68 мкОм*см; = 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.