Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка [формула], требуемую для химического осаждения пленки [формула] толщиной 120 нм и площадью 4х6 см2 с использованием реакции (CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка
, требуемую для химического осаждения пленки
толщиной 120 нм и площадью 4х6 см2 с использованием реакции
вопрос
Правильный ответ:
824
Сложность вопроса
94
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Гранд мерси за решениями по интуиту.
16 ноя 2020
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек
, длина каждого бита на дорожке
и расстояние между дорожками
.
= 64 нм,
= 75 нм,
= 175 нм.
- # На рисунке показана структура магнитной головки в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 3 и 4? [Большая Картинка]
- # Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 12 мкс, а на пластине размещается 100 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
-
#
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
,
и
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
-
#
Рассчитайте величину электрического тока (пА), который протекает сквозь наноэлектромеханический транзистор, изображенный на рисунке, если известна частота его колебаний
:
= 230 МГц
[Большая Картинка] Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
, требуемую для химического осаждения пленки
толщиной 120 нм и площадью 4х6 см2 с использованием реакции
, длина каждого бита на дорожке
и расстояние между дорожками
.
,
,
и
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
: