Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте величину электрического тока (пА), который протекает сквозь наноэлектромеханический транзистор, изображенный на рисунке, если известна частота его колебаний [формула] = 230 МГц [картинка] Ответ введите с точностью до первого знака после запято
Рассчитайте величину электрического тока (пА), который протекает сквозь наноэлектромеханический транзистор, изображенный на рисунке, если известна частота его колебаний
:
= 230 МГц
Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
36,8
Сложность вопроса
77
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я преподаватель! Оперативно уничтожьте этот ваш сайт с ответами на интуит. Пишу жалобу
13 июл 2017
Аноним
Кто ищет эти тесты с интуитом? Это же очень простые ответы
07 сен 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Оцените, с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если: лазерный диод излучает свет на частоте 7,973*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
- # При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 45 нм
-
#
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).
= 3,9;
= 80 нм;
= 80 нм;
= 2,66 мкОм*см;
= 1 мм.
-
#
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
:
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # На примере упрощенной "черно-белой" фоточувствительной КМДП матрицы размером 8 х 5 пикселей запишите ее выходной видеосигнал в случае, когда на нее проектируется следующее изображение: [Большая Картинка] Для записи используйте следующее кодирование: "НК" - строб-импульс начала кадра, "С" - строб-импульс окончания строки, "КК" - строб-импульс конца кадра, "0" - сигнал от темного пикселя, "1" - сигнал от светлого пикселя.
:
Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.