Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ([формула]) и заданных напряжениях на затворах ([формула]) и между исто
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, , и ) и заданных напряжениях на затворах () и между истоком и стоком (). . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
34,5
Сложность вопроса
75
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Большое спасибо за подсказками по интуит.
04 мар 2020
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 28. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации и соответствующий ему магнитный спин-ток равен .
- # Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м..
- # Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилалюминия, требуемую для химического осаждения пленки толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции (CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
- # Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1,5х2 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.