Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10^-6/, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10^-6/. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 150 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 до 120 . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Правильный ответ:

• # Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 28. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
• # Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 125 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 до 100 . Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
• # Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из таких вентилей размещается на кристалле площадью ? = 107; = 8х10 мм2 при = 6? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Схему инвертора на биполярном гетеротранзисторе