Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в [формула] раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхе
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из таких вентилей размещается на кристалле площадью ? = 107; = 8х10 мм2 при = 6? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
1,33
Сложность вопроса
83
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это очень не сложный тест по интуиту.
05 дек 2019
Аноним
Я завалил зачёт, почему я не нашёл этот великолепный сайт с всеми ответами интуит до этого
01 сен 2019
Аноним
Зачёт сдан. Иду кутить отмечать 5 в зачётке по тесту
26 июн 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов = 22, а соотношение = 18. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в металле при температуре 4 К. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, , и ) и заданных напряжениях на затворах () и между истоком и стоком (). . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания , среднего количества транзисторов на этой площади, тактовой частоты , суммарной электрической емкости , на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте : . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 16 Мбит? (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.