Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в [формула] раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхе
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
= 107;
= 8х10 мм2 при
= 6? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
1,33
Сложность вопроса
83
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это очень не сложный тест по интуиту.
05 дек 2019
Аноним
Я завалил зачёт, почему я не нашёл этот великолепный сайт с всеми ответами интуит до этого
01 сен 2019
Аноним
Зачёт сдан. Иду кутить отмечать 5 в зачётке по тесту
26 июн 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов
= 22, а соотношение
= 18. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в металле при температуре 4
К. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
-
#
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
,
и
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
-
#
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
:
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 16 Мбит? (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов
= 22, а соотношение
= 18. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
К. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
,
,
и
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.