Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в арсениде галлия при температуре 150 [формула]С
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в арсениде галлия при температуре 150 ![math]()
С
вопрос
СПравильный ответ:
20
Сложность вопроса
75
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Большое спасибо за гдз по intiut'у.
25 июн 2017
Аноним
Я завалил сессию, какого чёрта я не нашёл этот чёртов сайт с решениями по интуит до зачёта
29 окт 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/
![math]()
, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/![math]()
. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 ![math]()
до 100 ![math]()
. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 45 нм
-
#
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
![math]()
и ![math]()
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (![math]()
и ![math]()
) и длины межсоединения (![math]()
). ![math]()
= 3,1; ![math]()
= 70 нм; ![math]()
= 100 нм; ![math]()
= 2,66 мкОм*см; ![math]()
= 2 мм.
-
#
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно
![math]()
. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 128 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Во сколько раз возрастет частота собственных колебаний упругой микроэлектромеханической перекладины, если: ее толщину и длину уменьшить в 1,5 раза? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/
и 
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и 
) и длины межсоединения (
). 
. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 128 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.