Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 [формула] в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1,5х2 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 ![math]()
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1,5х2 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопрос
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1,5х2 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.Правильный ответ:
2,72
Сложность вопроса
93
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Какой человек находит эти вопросы inuit? Это же очень просты вопросы
13 май 2018
Аноним
Если бы не эти ответы - я бы не смог решить c этими тестами интуит.
22 сен 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 7 нм, а расстояние между ними 3,5 нм
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
![math]()
и высотой ![math]()
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный ![math]()
(![math]()
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна ![math]()
-
#
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет
![math]()
, длина доменов ![math]()
, а период их расположения в строках ![math]()
и в столбиках ![math]()
.
-
#
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры
![math]()
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент ![math]()
на каждый атом этого элемента (![math]()
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.![math]()
.
-
#
Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника:
![math]()
с шириной запрещенной зоны 4,83 эВ?
и высотой 
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный 
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна 
, длина доменов 
, а период их расположения в строках 
и в столбиках 
. 
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент 
. 
с шириной запрещенной зоны 4,83 эВ?