Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических
Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 45 нм
вопросПравильный ответ:
480 тыс. лог. элементов/мм2 500 тыс. лог. элементов/мм2 490 тыс. лог. элементов/мм2 400 тыс. лог. элементов/мм2 410 тыс. лог. элементов/мм2 420 тыс. лог. элементов/мм2 Сложность вопроса
70
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я завалил экзамен, почему я не углядел этот крутой сайт с решениями с тестами intuit месяц назад
19 дек 2019
Аноним
Экзамен сдал на 5. лол
17 июл 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры
![math]()
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент ![math]()
на каждый атом этого элемента (![math]()
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.![math]()
.
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
![math]()
, ![math]()
и ![math]()
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. ![math]()
.
-
#
Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
![math]()
и ![math]()
) и заданном напряжении между истоком и стоком (![math]()
). ![math]()
- # Какая скорость преобразования аналоговых сигналов в цифровые коды с использованием АЦП конвейерного типа нужна: для "оцифровки" в реальном времени радиосигналов с несущей частотой 46 МГц? (ответ укажите в миллионах)
- # Каждые "завоеванные" дополнительные 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать дополнительно 1 Гбит информации, С помощью биполярных гетеротранзисторов на основе фосфида индия скорость передачи данных в канале радиосвязи удалось повысить на 14 Гбит/с. На какой длине волны передается теперь информация, если раньше она передавалась на волне 1,525 мм? (ответ введите в мкм).
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент 
на каждый атом этого элемента (
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.
. 
, 
и 
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. 
. 
и 
). 