Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ([формула]) и заданных напряжениях на затворах ([формула]) и между исто
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (![math]()
, ![math]()
, ![math]()
и ![math]()
) и заданных напряжениях на затворах (![math]()
) и между истоком и стоком (![math]()
). ![math]()
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопрос
, 
, 
и 
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
). 
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.Правильный ответ:
36,4
Сложность вопроса
95
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Спасибо за ответы по интуиту.
31 янв 2020
Аноним
Спасибо за ответы по intuit.
21 ноя 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8. [Большая Картинка]
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
![math]()
, ![math]()
и ![math]()
) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. ![math]()
.
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
![math]()
, ![math]()
и ![math]()
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. ![math]()
.
- # Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 90 нм
- # На показана структура одного из участков приемного встречно-штыревого преобразователя в селекторе системы радиоидентификации багажа с фазоманипулированными сигналами. По аналогии с установите, на какой двоичный код "откликнется" соответствующий селектор. [Большая Картинка] [Большая Картинка]
, 
. 
.