Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 16 Мбит? (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 16 Мбит? (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
16,8
Сложность вопроса
84
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт защитил. Иду в клуб отмечать победу над тестом интут
24 окт 2015
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Какие размеры имеет изображение участка сканирования размером 7х7 нм при увеличении 300000х?
- # Какие размеры имеет изображение участка сканирования размером 7х7 нм при увеличении 600000х?
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
-
#
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет
, длина доменов
, а период их расположения в строках
и в столбиках
.
- # Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 1 Гбит?
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
, длина доменов
, а период их расположения в строках
и в столбиках
.