Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно [формула]. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 256 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно . Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 256 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
2,68
Сложность вопроса
86
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Какой студент ищет вот эти вопросы интуит? Это же элементарно (я не ботан)
07 янв 2019
Аноним
Я сотрудник деканата! Срочно уничтожьте этот ваш сайт с ответами intuit. Пожалуйста
20 авг 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек , длина каждого бита на дорожке и расстояние между дорожками . = 45 нм, = 54 нм, = 127 нм.
- # Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 4,6*1010 бит/дюйм2.
- # Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 21. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Какую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход
- # Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( и ) и заданном напряжении между истоком и стоком ().