Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Правильный ответ:

• # Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,067 в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 2,5 нм.
• # При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 45 нм
• # Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 64 Мбит при = 8? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц. С помощью наноэлектронных гетеротранзисторов максимальную частоту модуляции сигналов в волоконно-оптическом кабеле связи удалось повысить от 45 ГГц до 270 ГГц, и 20% дополнительного частотного диапазона выделили на передачу сигналов цифрового телевидения. Сколько HD каналов можно теперь дополнительно передавать по этому кабелю?
• # Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 90 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.