Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц. С помощью наноэлектронных гетеротранзисторов максимальную частоту модуляции сигналов в волоконно-оптическом кабеле связи удалось повысить от 45 ГГц
Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц. С помощью наноэлектронных гетеротранзисторов максимальную частоту модуляции сигналов в волоконно-оптическом кабеле связи удалось повысить от 45 ГГц до 270 ГГц, и 20% дополнительного частотного диапазона выделили на передачу сигналов цифрового телевидения. Сколько HD каналов можно теперь дополнительно передавать по этому кабелю?
вопросПравильный ответ:
360
Сложность вопроса
84
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Если бы не опубликованные ответы - я бы не смог решить c этими тестами intuit.
13 янв 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение
![math]()
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов ![math]()
= 20, а соотношение ![math]()
= 15. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096
![math]()
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1,5х2 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 90 нм
-
#
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
![math]()
и ![math]()
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (![math]()
и ![math]()
) и длины межсоединения (![math]()
). ![math]()
= 3,1; ![math]()
= 70 нм; ![math]()
= 100 нм; ![math]()
= 2,66 мкОм*см; ![math]()
= 2 мм.
-
#
Используя результаты предыдущего упражнения, оцените порог чувствительности сенсора на кантилевере, считая, что можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц, а частота изменяется по закону
![math]()
, где ![math]()
– масса чувствительной зоны кантилевера, ![math]()
– масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 3 мкм; ширина 400 нм; толщина 100 нм
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов 
= 20, а соотношение 
= 15. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой. 
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1,5х2 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой. 
и 
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и 
) и длины межсоединения (
). 
, где 
– масса чувствительной зоны кантилевера, 
– масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 3 мкм; ширина 400 нм; толщина 100 нм