Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Структуру инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗ
Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Структуру инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)
вопросПравильный ответ:
Сложность вопроса
55
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Если бы не эти решения - я бы не решил c этими тестами интуит.
07 июл 2020
Аноним
Пишет вам преподаватель! Прямо сейчас заблокируйте сайт vtone.ru с ответами на интуит. Умоляю
27 авг 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 1 Мбит? (ответ укажите в тысячах).
-
#
Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий
в смешанных кристаллах
от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов:
. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий
в смешанных кристаллах
от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов:
. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
- # Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 23,6-27,5 ГГц. (ответ введите в см).
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
в смешанных кристаллах
от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов:
. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.