Главная / Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков / Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Структуру инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗ

Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Структуру инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)

вопрос

Правильный ответ:

files
files
files
Сложность вопроса
55
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Очень сложно
Сложно
Средне
Легко
Очень легко
Комментарии:
Аноним
Если бы не эти решения - я бы не решил c этими тестами интуит.
07 июл 2020
Аноним
Пишет вам преподаватель! Прямо сейчас заблокируйте сайт vtone.ru с ответами на интуит. Умоляю
27 авг 2019
Оставить комментарий
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.