Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Используя результаты предыдущего упражнения, оцените порог чувствительности сенсора на кантилевере, считая, что можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц, а частота изменяется по закону [формула], где [формула] – масса чувствительной зоны канти
Используя результаты предыдущего упражнения, оцените порог чувствительности сенсора на кантилевере, считая, что можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц, а частота изменяется по закону , где – масса чувствительной зоны кантилевера, – масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 10 мкм; ширина 1 мкм; толщина 300 нм
вопросПравильный ответ:
Сложность вопроса
63
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Если бы не эти подсказки - я бы не осилил c этими тестами интуит.
01 сен 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Во сколько раз составляющая электрического тока в ферромагнетике, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, если степень поляризации этого тока ?
- # Какая схема из двух спиновых вентилей СВ8, выполняет логическую функцию ?
- # С помощью зондового наноструктурирования задумали сформировать наноразмерное изображение эмблемы и названия фирмы. Для этого острием нанозонда СТМ надо переместить атомов и молекул. Сколько часов работы СТМ требуется для этого, если на перемещение одного атома (молекулы) и на контроль правильности перемещения в среднем затрачивается секунд? = 36000; = 1,75 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,218 в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 2х3х5 нм.
- # Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. .