Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации [формула] от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп нах
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Венере спустя 7,5 месяцев после старта
вопросПравильный ответ:
Сложность вопроса
70
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я завалил зачёт, какого чёрта я не увидел этот великолепный сайт с всеми ответами с тестами intuit в начале сессии
18 авг 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Во сколько раз составляющая электрического тока в ферромагнетике, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, если степень поляризации этого тока ?
- # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром нм и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время .
- # Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, , и ) и заданных напряжениях на затворах () и между истоком и стоком (). . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 64 Мбит при = 8? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий в смешанных кристаллах от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.