Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий [формула] в смешанных кристаллах [формула] от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: [формула]. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий
в смешанных кристаллах
от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов:
. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
1,758
Сложность вопроса
60
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт сдал. Бегу кутить отмечать зачёт интуит
31 дек 2018
Аноним
Экзамен прошёл на 5.
08 окт 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте магнитный спин-ток, переносимый в ферромагнетике спин-поляризованным электрическим током
со степенью поляризации
.
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
-
#
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент
на каждый атом этого элемента (
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.
.
-
#
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/
, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/
. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20
до 100
. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Начертите схему и кратко опишите работу фоточувствительной ячейки наноэлектронной КМДП матрицы. Рассчитайте, сколько тактов имеет последовательность видеоимпульсов, считанная с фоточувствительной КМДП матрицы размером 128 х 180 пикселей
в смешанных кристаллах
от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов:
. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
со степенью поляризации
.
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент
.
, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/