Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Схему инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)

Правильный ответ:

• # Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет , длина доменов , а период их расположения в строках и в столбиках .
• # Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8. [Большая Картинка]
• # Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( и ) и заданном напряжении между истоком и стоком ().
• # Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 256 Мбит при = 5?
• # Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Структуру инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)