Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром [формула] и высотой [формула]. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный [формула]– магнетон Бора), на каждый
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время .
вопросПравильный ответ:
1,55 мкВт/Тл
758 нВт/Тл
340 нВт/Тл
137 нВт/Тл
84,5 нВт/Тл
Сложность вопроса
64
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это очень заурядный тест интуит.
17 сен 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в раз превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.
- # Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилалюминия, требуемую для химического осаждения пленки толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции (CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
- # Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 64 нм
- # На примере упрощенной "черно-белой" фоточувствительной КМДП матрицы размером 8 х 5 пикселей запишите ее выходной видеосигнал в случае, когда на нее проектируется следующее изображение: [Большая Картинка] Для записи используйте следующее кодирование: "НК" - строб-импульс начала кадра, "С" - строб-импульс окончания строки, "КК" - строб-импульс конца кадра, "0" - сигнал от темного пикселя, "1" - сигнал от светлого пикселя.
- # Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий в смешанных кристаллах от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.