Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 3,62-3,75 ГГц. (ответ введите в метрах). Ответ вв
Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 3,62-3,75 ГГц. (ответ введите в метрах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
2,5
Сложность вопроса
93
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Кто ищет эти ответы inuit? Это же безумно легко
23 ноя 2015
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Во сколько раз составляющая
электрического тока в ферромагнетике, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, превышает составляющую
этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, если степень поляризации этого тока
?
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
нм и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
-
#
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/
, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/
. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20
до 100
. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 64 нм
-
#
Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).
= 3,9;
= 100 нм;
= 120 нм;
= 2,66 мкОм*см;
= 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
электрического тока в ферромагнетике, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, превышает составляющую
этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, если степень поляризации этого тока
?
нм и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).