Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления /
Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, [формула]-электронов при температурах порядка 120 К?
Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, или ), чтобы стать: акцепторами -электронов при температурах порядка 120 К?
вопросПравильный ответ:
не меньше, чем 200 мэВ от "дна" LUMO
не больше 200 мэВ от "потолка" HOMO
не меньше, чем 80 мэВ от "дна" LUMO
не больше, чем 80 мэВ от "потолка" HOMO
не меньше 13 мэВ от "дна" LUMO
Сложность вопроса
59
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Экзамен прошёл на отлично. лол
03 фев 2018
Аноним
Какой человек ищет вот эти вопросы с интуитом? Это же элементарно
26 янв 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет . Рассчитайте минимальное изменение индукции магнитного поля, которое можно зарегистрировать с помощью такого магнитометра, если внутреннее отверстие его сквида представляет собой прямоугольник размерами: . Используйте формулу связи между величиной магнитной индукции, площадью контура и магнитным потоком сквозь него: .
- # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 150 х 32 нм (ответ укажите в мэВ). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Считая одноквантовый импульс напряжения треугольным, рассчитайте его амплитуду при условии, что продолжительность импульса составляет 3 пс. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: можно ли говорить о координате или импульсе электрона на молекулярной орбитали? Почему?
- # Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 11 нм.