При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 10¹⁰ В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 1,5 мм, а диаметр УНТ – 3,6 нм?

Правильный ответ:

• # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 300 х 75 нм (ответ укажите в мкэВ)
• # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 250 х 50 нм (ответ укажите в мкэВ)
• # Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, или ), чтобы стать: донорами -электронов при температурах порядка 20 К?
• # Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:
• # Состояние кубита задано волновой функцией , выраженной через базисные волновые функции и . Запишите волновую функцию того состояния кубита, в которое он перейдет в результате преобразования Адамара . Если .