Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления /
Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое
Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:
вопросПравильный ответ:
14,4 фДж, 240 нВт
1,44 фДж, 240 нВт
144 аДж, 240 нВт
13,5 фДж, 3 мкВт
450 аДж, 3 мкВт
Сложность вопроса
77
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я провалил зачёт, за что я не нашёл этот сайт с ответами с тестами intuit месяц назад
11 апр 2020
Аноним
Благодарю за ответы по intiut'у.
25 июн 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Магнитный поток сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) изменился на малую величину . Рассчитайте, как изменится разность фаз волновой функции куперовских пар электронов на ПД.При изменении магнитного потока сквозь отверстие сквида с одним переходом Джозефсона (ПД) на величину фаза волновой функции изменяется на . Поэтому при изменении магнитного потока на малую величину разность фаз изменяется на .
- # Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, или ), чтобы стать: акцепторами -электронов при температурах порядка 120 К?
- # Вычислите суммарную энергию связи 4-х внешних электронов с "остовом" атома углерода в состоянии -гибридизации (ответ укажите в эВ). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:
- # Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 22 нм.